Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1958, H. 6 - Transistorns statiska egenskaper som relä, av Björn Krüger
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
ocli effektförstärkningen
QE-vKEy
’ hl ib v be
där VKE och VDE är funktioner av IB. Derivering ger
d G
dlB
(E - vKEy
rl pb v be
AÆ.
\E — 1
be d vke
d /r
Vke dlB d I g 1B
Av fig. 3 framgår att dVKE/dIB har ett lågt värde
när transistorn har bottnat. Då dessutom
spänningskvoten framför denna derivata är av
storleksordningen 0,1 kan den första termen i parentesen
försummas. Ib — t (Vbe) är transistorns
ingångskarakteristik. För en effekthyperbel IB V be = konst, gäller
d V be , VjM = 0
dIB Ib
Några ingångskarakteristikor visas i fig. 11. Av de
däri inritade effekthvperblerna framgår att
(i v be
dIB
Vr
Ib
>0
Således är dG/dIB < 0, dvs. effektförstärkningen
avtar när IB ökar. För att uppnå maximal
effektförstärkning skall man således arbeta med maximal
strömförstärkning.
Ur ett I k—Vice-diagram kan man direkt avläsa det
erforderliga /ß-värdet för ett givet värde på IK.
Tillräcklig marginal måste hållas med hänsyn till
spridningen i transistordata och transistorernas åldring.
Fig. 5, 7 och 9 visar spridningen hos tio exemplar
av vardera transistortyperna OC 72, OD 604 och
2N174.
Vid denna typ av utstyrning uppstår relativt stora
restspänningar, som ger upphov till förluster i
transistorn. Yid stora kollektorströmmar och om hög
verkningsgrad erfordras, användes därför följande
typ av styrning.
Utstyrning till minirniförluster i transistorn
Förlusterna PF i transistorn kan beräknas på flera
sätt. För gemensam emitter-koppling uppdelas PF
lämpligen i kollektorförluster
Pk = 1kVKE (2)
och basförluster
Pb = ib v be (3)
Av fig. 1 framgår att alla strömmar och spänningar
i transistorn har beaktats och därför gäller
Pf = I’k+ Pi
(4)
Är arbetspunkten bestämd i IK—F^-diagrammet
kan PK beräknas. För beräkning av PB erfordras
dessutom kännedom om VBe• För att kunna bestämma
V be upptages även kurvskaran VBE— f (VKE) med IB
som parameter. Arbetet vid bestämning av PF
underlättas, om denna kurvskara uppritas i samma diagram
som IK—Frø-diagrammet och med gemensam Vke~
axel enligt fig. 3. För givna värden på 1K och IB kan
Vke och VBE lätt avläsas och PF beräknas.
Fig. 4 visar de på så sätt för en transistor OG 72
beräknade förlusterna PF = / (IB) med IK som
parameter. Kurvorna har ett utpräglat minimum och för
varje värde på IK finns således ett optimalt IB med
hänsyn till förlusterna. Minimipunkterna ger sam-
Fig. 5. I b som funktion av Ig hos OC 72 vid optimal
utstyrning (A) samt vid max. strömförstärkning (B).
The base current Iß os function of the collector
current Ig of OC 12 with the transistor driven to
minimum tosses (A) and at maximum current
gain (B).
Fig. 7. Iß som funktion av /k hos OD 604 vid optimal
utstyrning (A) samt vid max. strömförstärkning (B).
The base current IB as function of the collector
current Ijc of OD 604 with the transistor driven to
minimum tosses (A) and at maximum current
gain (B).
6
e
Fig. 6. Förlusterna PF som funktion av I k hos OC 72 vid
optimal utstyrning.
The losses PF as function of the collector current
Ik °f OC with the transistor driven to minimum
losses.
ELTEKNIK 1958 1 1 9
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
