Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1958, H. 6 - Transistorns statiska egenskaper som relä, av Björn Krüger
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Ij. ampere
Fig. 8. Förlusterna Pp som funktion av Ik hos OD 604
vid optimal utstyrning.
The losses Pp as function of the collector current
Ik °f OD 604 with the transistor driven to
minimum losses.
ampere
Ij. ampere
Fig. 9. IB som funktion av Ik hos 2N174 vid optimal
utstyrning (A) saint vid max. strömförstärkning (B).
The base current IB as function of the collector
current Ik of 2N174 with the transistor driven to
minimum losses (A) and at maximum current
gain (B).
Pp watt
Ig ampere
Fig. 10. Förlusterna Pp som funktion av Ik hos 2N174 vid
optimal utstyrning.
The losses Pp as function of the collector current
Ik of 2N174 with the transistor driven to
minimum losses.
banden IB = / (IK) ocli Pp = / (IK) vid optimal
utstyrning. Det är framförallt det sista sambandet, som
anger transistorns lämplighet som effektrelä.
Fig. 5—10 visar sambanden IB = f (IK) och PF =
= f (Ik) för tre transistortyper, nämligen för en
låg-effekttransistor OC 72, för en medeleffekttransistor
OD 604 samt för en högeffekttransistor 2N174.
Kurvorna har beräknats för tio exemplar av varje
transistortyp för att ge en uppfattning om spridningen.
Denna är relativt stor vid höga kollektorströmmar
och för att erhålla god utbytbarhet av transistorer
bör man hellre välja en större transistortyp än driva
en mindre transistor mycket hårt. I allmänhet
erhålles då också högre verkningsgrad. Är man
emellertid tvungen att använda en transistortyp vid
relativt höga kollektorströmmar kommer på grund av
spridningen en del transistorer att styras ut betydligt
över optimal styrning. Förlusterna stiger emellertid
endast sakta vid styrning utöver den optimala och
sambandet PF = f (IK) för den sämsta transistorn
utgör därför med god approximation en övre gräns
för förlusterna i de andra transistorerna.
Transistorns ingångskarakteristik
I det föregående har IB och ej VBE betraktats som
styrstorhet. Ingångskarakteristikan har nämligen dels
mycket låg och dels negativ resistans vid olika
belastningar. Fig. 11 visar med oscillograf upptagna
ingångskarakteristikor för de tre transistortyperna
OC 72, OD 604 och 2N174 med avseende på tre olika
belastningsfall:
a) Konstant kollektor-emitter spänning, VKe= 2 V.
Man arbetar nu efter arbetslinje a, fig. 12.
b) öppen kollektor, dvs. IK = 0. Arbetslinjen är nu
given av abskissaxeln.
c) Resistiv belastning enl. fig. 2 med
batterispänningen E = 12 Y och kollektorbelastningen RL = 25 Q
för OC 72, RL = 5Q för OD 604 och RL = IQ för
2N174. Arbetslinjen är nu bestämd av Rl> fig. 12.
Ingångskarakteristikorna a och b, fig. 11, utgör
gränskurvor för respektive högsta och lägsta
bas-emitterspänning vid olika belastningsfall och given
basström. Vid resistiv belastning,
ingångskarakteristikor c i fig. 11, följer ingångskarakteristikan först
kurva a tills transistorn bottnar. Då blir
kollektor-dioden ledande i framriktning, den erforderliga
bas-emitterspänningen minskar och
ingångskarakteristikan närmar sig kurva b. Soin synes är bottningen
mycket skarpt markerad i ingångskarakteristikan.
I fig. 11 har basströmmen IB0 vid optimal
utstyrning utritats. Den arbetspunkt, soin då erhålles, kan
endast uppnås om viss resistans finns i styrkretsen.
För t.ex. de tio transistorerna 2N174 sprider
dessutom VBe i denna arbetspunkt mellan 0,60 och 0,78 V.
En spänningsstyrning av transistorn är även av
denna orsak utesluten. I likspänningsomvandlare blir
transistorn ledande först efter det att VKe har gått
ned till låga värden. Ingångskarakteristikan närmar
sig då gränskurva b. Ingångsresistansen blir mycket
låg och en resistans i styrkretsen erfordras även i
detta belastningsfall. Ingångskarakteristikorna är
dessutom temperaturberoende. VBE minskar med ca
2 mV per °C. För att kunna uppnå en väldefinierad
styrning av transistorn användes därför så stor
resistans i styrkretsen, att den erforderliga
styrspänningen blir minst 2 VBE-
1 80 ELTEKN I K 1958
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
