- Project Runeberg -  Elteknik : Tidskrift för elektrisk kraftteknik, teleteknik och elektronik / Årgång 1. 1958 /
81

Table of Contents / Innehåll | << Previous | Next >>
  Project Runeberg | Catalog | Recent Changes | Donate | Comments? |   

Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1958, H. 6 - Transistorns statiska egenskaper som relä, av Björn Krüger

scanned image

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Below is the raw OCR text from the above scanned image. Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan. Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!

This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.

Fig. 11. Ingångskarakteristikor för transistorerna OG 72,
OD 604 och 2N174. Ibo är basströmmen vid
optimal utstyrning. a) Kollektor-emitterspänningen
\’ke = 2V. b) öppen kollektor, c) Resistiv last
enligt fig. 2. Batterispänning E = 12 V och
kollektorbelastning RL = 25 Q för OG 72, RL = 5ß
för OD 604 och /?L=lß för 2N174.

Input characteristics for the transistors OC 72,
OD 604 and 2N174. a) The collector-emitter voltage
Vice~ 2 V. b) Open collector, c) Resistive load
according to fig. 2. The battery voltage E = 12 V
and the collector load RL = 25 & for O C 12, RL =
= 5 Q for OD 604 and RL = lQ for 2N174.

Transistorn som öppet relä

Transistorn kan anses uppbyggd av två dioder, fig.
13. Eftersom halvledardioder har läckströmmar är
detta även fallet med transistorn. Den viktigaste är
I KO’ vilken definieras som strömmen mellan
kollektor och bas när enligt fig. 14 emittera ej är ansluten
och kollektordioden är polariserad i backriktningen.
På motsvarande sätt definieras Ieo som strömmen
mellan bas och emitter, när kollektorn ej är ansluten.

lK0 och IEo kan uppdelas i två delar, dels en ren
diodläckström lKOdrespektive/^ samt en ström med
resistiv karaktär lKOr respektive lEOr. Strömmarna IKOd
och lEod förorsakas av de termiskt genererade
minoritetsbärarna i basområdet. Är emitterdioden
polariserad i backriktning och kollektordioden öppen,
erhålles diod-emitterläckströmmen lEOld. Är även
kollektordioden polariserad i backriktning erhålles
diod-emitterläckströmmen lE02d enligt fig. 15. Nu är

w < ieo v1

ty emitter och kollektor "konkurrerar" om de
termiskt alstrade laddningsbärarna i basområdet. Ieo2A
kan vara en tiopotens mindre änIEoid’ Motsvarande
gäller för ljcod- Dock är IK02d endast obetydligt mindre
än lKoid emedan emittern är mindre än kollektorn ocli
därför inte "stjäl" så många laddningsbärare från

Fig. 12. Kollektordiagrani med olika arbetslinjer.

Collector diagram with various load lines.

Fig. 13. Dubbeldiodschema för en npn-transistor, e =
emitter, b = bas och k = kollektor.

Equivalent double diod circuit for a
npn-transistor, e = emitter, b = base and k — collector.

ELTEKNIK 1958 1 1 9

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Project Runeberg, Sat Dec 9 22:19:19 2023 (aronsson) (download) << Previous Next >>
https://runeberg.org/elteknik/1958/0085.html

Valid HTML 4.0! All our files are DRM-free