Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1958, H. 6 - Transistorns statiska egenskaper som relä, av Björn Krüger - Transistor för höga frekvenser, av T B - Högtemperaturdioder? - Aktuellt om avionik, av S Risberg - Q-bandsradar - Robotföljare - Grundforskning på spaningsområdet - Nytt spaningssystem
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 19. Kollektorläckstrümmen /^o som funktion av
kol-lektor-emitterspänningen Vke hos 2N174 vid tre
olika temperaturer.
Collector leakage current Iko as function of the
collector-emitter voltage Vke °f 2N17A at three
different temperatures.
Den maximala kollektorspänningen bör hållas låg,
ungefär vid 60 % av vad uppmätta läckströmskurvor
visar, ty dels uppträder i reläkopplingar lätt mycket
korta, men för transistorn farliga spänningsspikar
och dels anger inte transistorfabrikanterna hur
mycket läckströmskurvorna försämras under en längre
tids lagring.
Ofta är det emellertid spridningen i transistordata,
som bestämmer användbara maximaldata. Kurvorna
i fig. 5, 7, 9 och 17—19 visar, att spridningen ökar
ju mera transistorn styres ut. Det vore därför
värdefullt, om transistorfabrikanterna lämnade utförligare
data om spridningen, t.ex. i form av kurvor av den
nämnda typen.
Litteratur
1. Mabkesjö G, Gibson J: Transistorns egenskaper som
kretselement. Transistorgruppens rapport TR 19. Stockholm, KTH, 1955.
2. Mabkesjö G, Gibson J: Transistorn som lågfrekvensförstärkare
för små signaler. Transistorgruppens rapport TR 26. Stockholm,
KTH, 1956.
3. Westerberg G: Undersökning av spänning över skikttransistor
körd som switch i slutet tillstånd. Transistorgruppens rapport TR 25.
Stockholm, KTH, 1956.
4. Sundström J: Försök med transistorer i hackare, speciellt vid
låga nivåer. Transistorgruppens rapport TR 46. Stockholm, KTH,
1957.
Transistor för höga frekvenser
En ny transistor typ har utvecklats av S Teszner vid Centre
National d’Etudes des Télécommunications i Paris. Den
har döpts till tecnetron efter begynnelsebokstäverna i
namnen på uppfinnaren och forskningsinstitutet.
Tecnetronen består av en stav (0 0,5 X 2 mm) av
n-germanium med en "nedsvarvning" på mitten, kring vilken
en cylindrisk elektrod av indium är anbragt. Mellan
stavens ändelektroder påläggs en matningsspänning på ca
50 V i serie med en belastningsimpedans. Strömmen genom
staven styrs av en signalspänning, som i serie med en
lämplig negativ förspänning ansluts till stavens katodända
och indiumelektroden. Styrningen av strömmen genom
staven sker enligt samma princip som i en fälttransistor,
dvs. en spänning (t.ex. negativ) på indiumelektroden alstrar
ett elektriskt fält, som avböjer laddningsbärarna mot
stavens centrumaxel. Stavens ledande tvärarea (och därmed
resistans) kommer därigenom att variera med
signalspänningen. Tecnetronens goda högfrekvensegenskaper beror på
mittelektrodens cylindriska förrn. Inimpedansen är hög
(flera Mß) och utimpedansen ligger omkring 1 Mi2.
Brantheten ökar med frekvensen och är ca 0,8 mA/V vid 500
MHz. Vid 150 MHz har man uppnått en förstärkning på
14 dB vid 6,4 MHz bandbredd; vid 454 MHz var
motsvarande data 9 dB vid 29 MHz bandbredd. Förlusteffekten
anges till max 125 mW och vid klass A-drift är uteffekten
15—30 mW upp till 500 MHz. Man räknar med att inom
ett år få fram tecnetroner, som arbetar upp till 1 000 MHz
(Toute la Radio, feb. 1958). TB
Högtemperaturdioder? Tre 25-amperes kiseldioder
ingick i en oljekyld likriktare avsedd för katodiskt
korrosionsskydd av en oljeledning i Texas. Vid en präriebrand
skadades likriktaren svårt; dess olja brann upp och
väggplåtarna förstördes av värmen. De tre kiseldioderna
bibehöll dock sina elektriska data oförändrade (Materials in
Design Engineering mars 1958 s. 188).
Aktuellt om avionik
Q-bandsradar. Radar på frekvenser omkring 35 GHz och
högre är under utveckling för målsökare i
luftförsvars-och jaktrobotar. Dessa frekvenser är bättre än det
infra-röda området under dåligt väder och ger möjlighet till
högre upplösning än vad som kan erhållas med radar på
lägre frekvenser. Då emellertid dämpningen i dåligt väder
är avsevärd blir användningen sannolikt begränsad till
höga höjder (Aviation Age jan. 1958).
Robotföljare. I USA kommer Sperry att bedriva
forskning och utveckling på AN/FPS-35, en 4 500 km-radar för
spaning och följning av robotar. Målsättningen är att få
fram ett integrerat system — en enda utrustning med en
antenn — med förmåga att upptäcka och följa robotar.
Radarn, som kommer att utnyttja mottagare där man
använder sig av "coherent integration receiving technique",
utrustas med sändare med mycket hög uteffekt (Aviation
Week 24 feb. 1958).
Grundforskning på spaningsområdet. Ett
utvecklingslaboratorium för radar inom U.S. Air Force, ERD’s Radar
Laboratory, har inlåtit sig på ett nytt rymdåldersprogram.
I stället för att försöka utveckla större och bättre
radarsystem och -komponenter kommer uppdrag att
koncentreras till spaningens grundprinciper, särskilt under
förhållanden liknande dem som råder i jonosfären (Electronics
Business Edition 7 mars 1958).
Nytt spaningssystem. Ett kontrakt omfattande utveckling
av ett fullständigt spaningssystem AN/ALD-3 har utlagts
av USAF för 11 milj. dollar. Systemet skall upptäcka,
registrera och analysera radarsändningar m.m. inom ett
brett frekvensområde (Aviation Week 3 feb. 1958).
S Risberg
1 84 ELTEKN I K 1958
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
