Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1958, H. 9 - Grundläggande egenskaper hos effektoscillatorer och likspänningsomvandlare med transistorer, av Björn Krüger
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Den maximala oscillatoreffekten Ps/4 hade härletts
under antagandet, att transistorn arbetar i
GE-kopp-ling. Vi skall nu undersöka, hur den av oscillatorn
avgivna effekten är beroende av
transformatorkopplingen. Fig. 4 visar en generell oscillatorkoppling
och man ser, att man i denna icke kan specificera
transistorns koppling. Som specialfall erhålles GEr
koppling för n., = 0, GB-koppling för n3 = 0 och
GK-koppling för nl = 0.
Under svepet är bas-emitterspänningen vbes ocli
kollektor-emitterspänningen A v. Under återgången
är bas-emitterspänningen vbe,i och
kollektor-basspänningen VKBmar. Betecknas vidare
transformatorspänningarna under återgången med u\ osv. erhålles
spänningarna i tab. 1 ur fig. 4.
Eftersom alla u är växelspänningar gäller vid
rektangulär kurvform
eller
t = — tall
U2
— = — Q
11 2
För transformatorn gäller dessutom
E — /SV + uo u. 2 U2
E + U2
vilket ger
v b ed
E =
11 2 — vbed
9
q V KB max — VBEs + A"
(6)
1 + 9
dvs. batterispänningen är oberoende av
transistor-kopplingen. Eftersom I k mac inte påverkas av
transistorkopplingen blir också den ur batteriet uttagna
effekten oberoende av transistorkopplingen. Vidare
inses att transistorns förluster är oberoende av
transistorkopplingen. Under antagande att
transformatorn är förlustfri gäller således satsen: Den ur en
oscillator uttagbara effekten är oberoende av
transistorns koppling.
Tar man hänsyn till förlusterna i transformatorn
kan man optimera transistorkopplingen med
avseende på dessa och med avseende på
transformatorstorleken. Ur fig. 4 erhålles summan p av de
momentana effekterna i transformatorlindningarna
p = I iK I • I E — vKE + ii21 + 1 iß I • I vBE — ut + ’"/.;!• u2 (7)
Dessutom är
i k + i b + = 0
vilket kan skrivas
1’ei = jb + >k
ty ix och iB har samma tecken. Ekv. 7 kan nu skrivas
P= -(|ß—yjCE+Ua| + ]ujD + |ljb[ -(\vbe-Hj ! + i Ila ]) (7 a)
Man ser genast, att de båda parenteserna har
minimi-värdet | E — vKE | resp. | uBE | för u„ = 0. Således
Fig. 4. Generell oseillatorkoppling med transformator.
General circuit of an oscillator with transformer.
pmin = Jk ’ \ E — Vke + ’B i ’ vbe i
för iu = 0.
Transistorn skall således arbeta i GE-koppling med
hänsyn till förlusterna i till transistorn anslutna
kretsar (transformatorn).
Betraktas transistorn som en återkopplad
förstärkare medför det faktum att Po* är oberoende av
transistorns koppling att skillnaden mellan den av
förstärkaren avgivna effekten P„t och den återkopplade
effekten P-,n är konstant, dvs.
Pos = Put — Pin
Skrives ekv. (6) under formen
Put = POs + Pin
(8)
(8 a)
ser man, att man kan öka ett stegs uteffekt genom
att ta Pin från en annan effektkälla. I GB-koppling
kan man med hjälp av ett basmotstånd R/, och en
diod D öka Pm utan att införa för stora förluster.
Fig. 5 visar en koppling, där effekten från tre
transistorer har adderats och vid optimal rektangulär
kurvform kan man enligt ekv. (5) erhålla en uteffekt
av % PBr om förlusterna i Ri, försummas. Denna
kopplingsprincip möjliggör också konstruktion av
transistorreläer med n transistorer, som kan koppla
spänningen n •VKBmar.
Fig. 6 visar en sådan koppling, dels med uttag på
batteriet, och dels med resistiv spänningsdelning.
Styrning av transistorn
Emedan transistorn i en effektoscillator skall arbeta
som relä i GE-koppling skall återkopplingsnätet
dimensioneras så att den i en tidigare uppsats1
diskuterade optimala styrningen av transistorerna
erhålles. Även andra avsnitt av denna uppsats kan givetvis
tillämpas på effektoscillatorer, t.ex. val av impedans
i styrkretsen samt att transistorn under frånläge skall
ha en strypspänning av minst 0,5 V.
Mellan svep och återgång respektive återgång och
svep uppträder en transient, där transistorn är både
ström- och spänningsförande, dvs. hög förlusteffekt
kan uppträda i transistorn. Vid transienten mellan
Tabell 1. Spänningar under svep och återgång
vke vbe vkb Ui u2 Ut
ts Av VBEs Av — VBEs E — /\V + u2 u2 u2 — VBES
td V KB max + VBEà VBEd VKB max E + u’2 — VßEd — VKB max u’2 U 2 — VßEa
ELTEKNIK 1958 1 1 9
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
