- Project Runeberg -  Elteknik : Tidskrift för elektrisk kraftteknik, teleteknik och elektronik / Årgång 1. 1958 /
132

Table of Contents / Innehåll | << Previous | Next >>
  Project Runeberg | Catalog | Recent Changes | Donate | Comments? |   

Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1958, H. 9 - Grundläggande egenskaper hos effektoscillatorer och likspänningsomvandlare med transistorer, av Björn Krüger

scanned image

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Below is the raw OCR text from the above scanned image. Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan. Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!

This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.

Fig. 5. Oscillator med addering av effekter enligt ekv.
(8 a).

Power addition in an oscillator circuit according
to eq. (8 a).

återgång och svep skall en stor mängd
laddningsbärare snabbast möjligt matas in i transistorns
basområde och vid transienten mellan svep och
återgång skall denna laddningsmängd snabbast möjligt
dras ut ur basen. Fig. 7 visar den schematiska
uppbyggnaden av en transistor samt
laddningsbärarkon-centrationen i basen vid optimal styrning och när
kollektorn just bottnar. Strypningen av transistorn
börjar när inga fler laddningsbärare matas in i basen
från emittern. Den laddningsmängd, som finns i
basen kommer nu att diffundera över till kollektorn
och allt eftersom laddningsmängden i basen minskar,
avtar kollektorströmmen. Beroende på
kollektorim-pedansen kommer nu kollektorspänningen mer eller
mindre snabbt att öka och avsevärda
kollektorför-luster kan uppstå. Dessa kan minskas genom att dra
ut en stor del av basladdningen över emitterdioden
med en strypspänning, men denna får inte vara så
stor att avsevärda emitterförluster uppstår i stället.
Kollektorförlusterna kan också minskas genom att
transistorn inte styres ut optimalt varigenom
basladdningen blir mindre. Dock uppstår därvid större
förluster under svepet.

Med hjälp av speeding-kondensator kan man öka
hastigheten av inmatning och utsugning av
laddningsbärare i basområdet. Fig. 8 visar en lämplig
koppling.

Vid dimensionering av styrkretsen får man således
kompromissa mellan förluster under tillage och
tran-sientförluster. Kompromissen påverkas av
oscillatorfrekvensen och kollektorimpedansen. Några för
dimensioneringen användbara uttryck har hittills inte
ställts upp.

Oscillatorfrekvens

I likspänningsomvandlare blir valet av
oscillatorfrekvens en kompromiss mellan transientförluster,
transformatorstorlek och glättningsfiltrets storlek.
Med hänsyn till transformatorn och glättningsfiltret
är en hög oscillatorfrekvens önskvärt, men den
medför givetvis högre transientförluster. Vid en
oscillatorfrekvens av några kHz kan billiga ferritkärnor i
transformatorn användas. I allmänhet kan man välja
oscillatorfrekvensen i närheten av transistorns
gränsfrekvens i GE-koppling utan att verkningsgraden
sjunker mer än några procent under sitt
maximalvärde. Likspänningsomvandlare har byggts med en
oscillatorfrekvens av 12 kHz med mindre transistorer
(OC72) och 4—6 kHz med större effekttransistorer
(2N174).

Oscillatorkopplingar

En effektoscillator kan alltid förses med likriktare
och glättning så att en likspänningsomvandlare er-

hålles. Däremot kan inte alltid en oscillator i en
likspänningsomvandlare användas som
växelströmskälla emedan likriktningen i många kopplingar är
en förutsättning för oscillatorns verkningssätt.
Likspänningsomvandlare utgör således en större
kategori av kopplingar än rena oscillatorkopplingar.

En logisk indelning av likspänningsomvandlarna
erhålles om man tar hänsyn till sättet för
likriktning, återkoppling och begränsning av
kollektorspänningen under återgången samt om oscillatorn är
mot-taktkopplad eller endast har en transistor.

Likriktning och begränsning av
kollektorspänningen

Den magnetiska energi, som liar lagrats i
transformatorn under transistorns tillage ger upphov till en
spänningsstegring i transformatorlindningarna, när
transistorn strypes. Denna spänningsstegring måste
begränsas, då annars transistorn eller likriktaren
förstöres. Begränsningen kan ske genom att den
magnetiska energin överföres till belastningen eller till
batteriet, fig. 9 a, eller också kan den lagras i en
kondensator, fig. 9 b. Den förstnämnda
begränsnings-metoden benämnes även likriktning under återgång
och karakteriseras av att likriktaren spärrar under
svepet och leder under återgången. Det magnetiska
flödet i transformatorn växer från 0 till <bmax
under svepet och avtar från $max till 0 under återgången.
Flödet varierar således endast mellan 0 och $max och
transformatorkärnan utnyttjas endast till hälften. Vid
begränsning med en kondensator är likriktaren
ledande under transistorns tilläge och spärrar under
frånläget. Likriktningen sker således under svepet.
Den under svepet i transformatorn lagrade
magnetiseringen överföres till elektrostatisk energi i
kondensatorn under återgången. Energitransporten sker
med hjälp av den med flödet sammanlänkade
magne-tiseringsströmmen iM, som är en ren växelström, ty
kondensatorn spärrar likström. Flödet måste då
också vara ett rent växelflöde, dvs. det varierar mellan
+ &max och — <t>max och transformatorkärnan kan
utnyttjas helt.

Fig. 6. Transistorrelä för höga spänningar med

a) delat batteri

b) resistiv spänningsdelning.

High-voltage transistor switch with

a) separate batteries

b) resistive voltage divider.

1 132 ELTEKN I K 1958

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Project Runeberg, Sat Dec 9 22:19:19 2023 (aronsson) (download) << Previous Next >>
https://runeberg.org/elteknik/1958/0136.html

Valid HTML 4.0! All our files are DRM-free