Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1959, H. 1 - Mätning av termiska egenskaper hos kiselkraftdioder, av Per Svedberg
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 2. Elektrisk värmeplatta använd vid mätning av
termisk resistans hos kraftdioder.
Electrical hot-plate used in conjunction with
measuring the thermal resistance of power diodes.
Mätresultat
Kalibrering av mätutrustningen liar gjorts för fyra
10 A och fyra 75 A kiseldioder av Hafos
försökstillverkning, fig. 3 a och b. I dessa fall har
mätmot-ståndet varit 100 Q och förspänningen justerats så,
att ca 130 mV mätspänning erhållits vid 100°C. För
att få ett medelvärde på känsligheten har kurvorna
parallellförskjutits så att samtliga kurvor
sammanfaller vid 100° C. Som synes är kurvorna mycket
nära linjära med en lutning på 0,6 ± 0,05°C/mV.
Genom att mätströmmen uppgår till mer än 1 mA
kan läckströmmen från seriedioden (en 75 A
kisel-ventil) försummas under spärrintervallet.
Oscillogrammen i fig. 4 visar typiska upptagningar
från mätningar på de kalibrerade dioderna vid
belastning till märkström. Belastningen har inkopplats
med tidur under maximalt 2,5 s. Genom att mäta
med olika hastighet på tidssvepet kan temperaturen
under själva spärrintervallet eller under flera sådana
följas. För varje diod har tre olika svephastigheter
använts nämligen 5 ms/cm, 50 ms/cm och 500 ms/cm.
Temperaturskalan — stigande temperatur nedåt — är
väld så att varje skaldel motsvarar 1°C. Ur det
snabbaste oscillogrammet, fig. 4 a, ser man att
temperaturen stiger under ledintervallet men sjunker ca 6—
8°G under spärrintervallet med en tidkonstant på
ca 2—3 ms. Detta innebär, att temperaturen vid
spärrintervallets mitt redan sjunkit med 80 %. Ur
fig. 4 b ser man temperaturgången under det första
tiotalet perioder. Nivån höjs till en början 2—3°C
för varje ledpuls men höjningen blir allt mindre och
mindre. Oscillogrammet i fig. 4 c, där
svephastigheten är 0,5 s/cm, visar temperaturgången under
och efter en belastningsperiod på 2,5 s.
Temperaturvariationerna under spärrintervallet är samman-
trängda till ett band. Vid avsvalningen ser man att
kurvan redan efter 1—2 s flackar av. Nivån bestäms
här av värmekapaciteten hos hela enheten. Språnget
mellan temperaturen strax före avsvalningens början
och denna nivå representerar ventilens inre
termiska impedans.
Diskussion
Av speciellt intresse är temperaturen i dioden mitt
under spärrintervallet, då spärrförlusterna normalt
är som störst. Ur oscillogrammen kan man direkt
avläsa hur denna temperatur stiger för varje
belastningsperiod. Detta ger en möjlighet att beräkna
diodens överbelastningsförmåga vid överströmmar av
olika varaktighet kombinerade med spärrbelastning.
Fig. 3 a, b. Kalibrering av känsligheten vid mätning av
termisk resistans på (a) Si-10 och (b) Si-75 dioder.
Den inlagda kurvan anger en medelkänslighet av
(a) 0,60°C/mV och (b) 0,58°C/mV. Mätpunkterna
är normaliserade till (a) 180 mV och (b) 220 mV
vid 100°C.
Calibration of sensitivity when measuring the
thermal resistance of (a) Si-10 and (b) Si-75 diodes.
The curve shown gives an average sensitivity of
(a) 0.60°C/mV and (b) 0.58°C/mV. The points of
measurement have been normalized to (a) 180 mV
and (b) 220 mV at 100°C.
ELTEKNIK 1959 1 12
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
