Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - Elektroluminiscenta ljusförstärkare och minnen, av Bertil Peterson
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 4. Ljusförstärkare med rutnätformat FL-skikl. a
infallande ljus, b elektroformat metallnät, c
FL-skikt, d ogenomskinligt skikt, e EL-skikt, f
transparent elektrodskikt, g förstärkt bild, b glasplatta.
Light amplifier with mesh-supported
photoconduc-tor.
Fig. 5. Ljusförstärkare med parallellspårraster. a glasplatta,
b förstärkt bild, c transparent elektrodskikt, d
EL-skikt, e ogenomskinligt skikt, f
strömdiffusions-skikt, g FL-skikt med V-spår, b smala
bandelektroder av silver längs åsarnas krön, i infallande
ljusbild.
Grooved-photoconductor light amplifier.
Fig. 6. Den förstärkta bildens ljusstyrka som funktion av
primärbildens.
Curve of output light vs input light.
4 ELTEKNIK 1959
Den i fig. 2 angivna sandwichkonstruktionen av
en ljusförstärkare uppfyller ej dessa villkor. Det
ganska tjocka FL-lagret, som är tämligen
ogenomskinligt, påverkas av ljus endast i ett tunt ytskikt,
varför fotokänsligheten blir låg. I fig. 4 visas en
konstruktion, som utgör en avsevärd förbättring i
detta avseende. En glasplatta överdras på ena sidan
med ett genomskinligt ledande skikt, ett EL-skikt
samt ett tunt ogenomskinligt lager, som minskar
ljusåterkopplingen. Omkring 0,4 mm över det
sistnämnda skiktet uppspännes ett metalltrådnät, genom vilket
det fotokonduktiva materialet sprutas på i
pulverform. Under varje maska erhålles på detta sätt en
grop, varigenom ljusets inträngning i och påverkan
av FL-skiktet avsevärt förbättras.
En förstärkare av tillverkningstekniskt bättre typ
men av principiellt liknande konstruktion visas i fig.
5. På glasplattan skiktas i tur och ordning en
genomskinlig elektrod, ett EL-skikt av 0,03 mm tjocklek,
ett ogenomskinligt ca 0,01 mm tjockt skikt, ett
ström-diffusionsskikt av ledande CdS, som medelst
maskinbearbetning noga planas och får tjockleken 0,5
mm, ytterligare ett skikt med i araldit finfördelad
CdS (FL-skikt), som också planas och blir ca 0,4
mm tjockt, samt slutligen ett tunt silverskikt. De
båda sistnämnda skikten genombryts därefter med
parallella V-formade spår med ett inbördes avstånd
av 0,6 mm. De tunna silverstrimlor, som blir kvar
uppe på varje vall, sammanbinds elektriskt och
utgör den andra elektroden. Det i spåren infallande
ljuset kommer sålunda att påverka FL-skiktet mycket
effektivt och dessutom ökas skiktets mörkerresistans
samt minskas dess kapacitans. Det
strömdiffuseran-de lagret i ovanstående anordning har till uppgift
att undertrycka linjestrukturen i den förstärkta
bilden. Ljusförstärkare av denna typ har tillverkats
med dimensioner upp till 30 X 30 cm, och den
erhållna bilden är i kvalitet helt jämförbar med en
vanlig TV-bild. Av fig. 6 framgår hur förstärkningen
varierar med primärbildens intensitet då
drivspän-ningens frekvens är 400 Hz. Maximal förstärkning,
ungefär 60 gånger, fås vid en belysningsstyrka av
0,5 lux. Vid en högre frekvens, t.ex. 10 kHz, har
maximala förstärkningen minskat till 23 gånger.
Belysningsstyrkan är härvid 12 lux och den förstärkta
bildens ljustäthet ungefär 300 apostilb. Till
jämförelse kan nämnas att en vanlig TV-skärm har
ljustätheten 200 apostilb.
Den ovan beskrivna ljusförstärkaren kan genom
en speciell koppling, i vilken åsarna i FL-skiktet är
anslutna till växelspänningskällan via omväxlande
positiva och negativa förspänningar, fig. 7, få en
avsevärt förbättrad funktion. Här sker en
överlagring av en växel- och en likspänning i FL-skiktet,
ocli genom att fotoledaren är speciellt känslig vid
en pålagd likspänning, uppkommer en mycket
kraftig resistansminskning och därmed högre
förstärkning, än enbart en växelspänning skulle kunna
åstadkomma. Likströmskretsen mellan två belysta
spårväggar slutes via strömdiffusionsskiktet.
Växelströmmen till EL-skiktet passerar då i ett visst ögonblick
genom den högra spårväggen och en halv period
senare genom den vänstra i motsatt riktning.
Denna förstärkare har utvecklats speciellt för
förstärkning av röntgenbilder. Eftersom
resistansänd-ringen i FL-skiktet sker ganska trögt, beror förstärk-
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
