Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - Elektroluminiscenta ljusförstärkare och minnen, av Bertil Peterson
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 10. Principen för tvåhålstransfluxorn. a blockerad,
b utstyrd till viss nivå, c fullt utstyrd, d
hysteres-kurva. /x lindning för blockerings- (—>) eller
styrpuls (<—), l3 lindning för drivpuls, l0 lindning för
utpuls.
The principle of the two-cipertiired transfluxor.
således ljus eller mörk ocli någon gradation
däremellan kunde ej erhållas. FL-skiktet kan
emellertid ersättas av vissa andra styrelement, som gör
halvtonsåtergivning möjlig. En kortfattad
beskrivning av några sådana element med tillhörande
BL-paneler ges nedan.
Transfluxor styrd minnespanel
Den i detta sammanhang lämpliga transfluxortypen
består av en cirkulär ferritskiva med två hål enligt
fig. 10. Om en strömpuls av tillräcklig amplitud
skickas genom lindningen går benen 2 och 3 i
mättning och förblir i detta tillstånd även efter
strömpulsens slut, på grund av ferritens
rektangulära hystereskurva. Eftersom en över lindningen ls
påtryckt växelspänning i detta fall ej kan
åstadkomma några ändringar av magnetiseringen i de
båda benen 2 och 3, kallas tillståndet blockerat.
Den i lindningen l0 inducerade spänningen är
under dessa förhållanden nära noll.
Antag nu att en styrpuls påtryckes lL så att
strömmen går i en riktning motsatt den vid
blockeringspulsen. Magnetiseringsriktningen blir nu beroende
på styrpulsens amplitud mer eller mindre omkastad.
Det magnetiska fältet minskar enligt Ampères lag
med ökande radiellt avstånd från det större hålets
centrum, varför resultatet blir, att ben nr 2 alltefter
styrpulsamplituden får ett större eller mindre
område, som är magnetiserat i en riktning motsatt den
ursprungliga. Växelströmmen genom l3 kan nu
påverka ben 2, så det åter helt mättas i den
ursprungliga riktningen, varvid ben 3 samtidigt får sin
magnetisering minskad i motsvarande grad osv. i
omvänd ordning. Den sålunda periodiskt
uppkommande flödesändringen kan under obegränsad tid
inducera en spänning i l0, vars amplitud är
proportionell mot styrpulsens amplitud.
Om en EL-cell anslutes till transfluxorns
/^lindning erhålles ett optiskt minneselement med en mot
styrpulsens amplitud proportionell ljusstyrka. Det
enklaste sättet att bygga upp en hel panel av dessa
element visas i fig. 11. Varje transfluxor har två
styrlindningar och om båda dessa samtidigt tillföres
en styrpuls uppkommer en bestående
magnetise-ringsändring. En puls till endast den ena lindningen
är för svag att ens omkasta
magnetiseringsriktningen närmast kanten på det större hålet och ger
sålunda ej någon som helst bestående förändring.
En minnespanel enligt fig. 11 är mycket dålig ur
verkningsgradssynpunkt, men detta förhållande kan
förbättras genom inkoppling av en transformator
mellan Z0-lindningen och EL-cellen, varvid
sekundärlindningen och EL-cellens kapacitans bildar en
resonanskrets. Under alla förhållanden kommer
paneler av denna typ att ha en mycket komplex
uppbyggnad och eftersom enhetscellerna ej kan göras
särskilt små (hittills tillverkade celler har en yta
av ca 1 cm2) torde bildytor av storleksordningen m3
vara lämpligast.
Ferroelektriskt styrd minnespanel
En kondensator med ett dielektrikum av ett
ferroelektriskt material, t.ex. keramiskt
bariumstrontium-titanat, liar egenskapen att dess kapacitans kan
varieras med en påtryckt likspänning. Om en sådan
kondensator seriekopplas med en EL-cell (av
växelströmstyp), är det uppenbart, att fördelningen av
en växelspänning över dessa båda element lätt kan
påverkas, och att EL-cellens ljusstyrka är
kontinuerligt variabel med styrspänningen. Minnesfunktionen
hos en sådan cell beror på, att de av styrspänningen
alstrade laddningarna kvarstår flera minuter efter
frånkopplingen av denna spänning. Minnestiden,
som således är beroende av läckningen genom
kondensatorn och därigenom även av luftfuktigheten,
antas kunna ökas genom noggrann inkapsling av de
ferroelektriska elementen.
En sammansatt minnescell, som åstadkommer större
växelspänningsändringar över EL-skiktet än vad som
är möjligt med den ovan beskrivna enkla cellen, visas
Fig. 11. Schematisk konstruktion av transfluxorstyrd
EL-panel. a EL-cell, b tilledare för
kolumn-styrlind-ning, c transfluxor, d magnetiska omkopplare, e
tilledare för rad-styrlindning, f växelspänning.
Simplified diagram of transfluxor-controlled
EL-panel.
ELTEKNIK 1959 1 87
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
