Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - Elektriska och magnetiska mätningar - 5. Mätningar med hjälp av elektronrör - Rörtyper och rördata - Rörkurvor - Rörkonstanter
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
ELEKTRISKA OCH MAGNETISKA MATNINGAR
Fig. 5/5. Gallerström som funktion av gaU
lerspänning vid olika värden på anod*
spänningen för en pentod AF7 (skärmgaU
lerspänningen = anodspänningen).
tivt, en låg gallerström, se fig. 5/5. Den
har flera komponenter, ren elektronström,
jonström från stötjonisation av restgasen,
låckström över isolationen, fotoström etc.
Förhållandet
v-i
år vid tillräckligt hög negativ gallerspän*
ning konstant och kallas vakuumfaktor,
jfr Allmänna tekniska mätningar, s. 495.
För en pentod ha 1Q—E^skurvorna ett
helt annat utseende, se fig. 5/6.
Rörkonstanter. Hos en triod är anod*
strömmen 7fl en funktion såväl av anod*
spänningen Ea som gallerspänningen Eg.
(Dessutom beror den av glödspänningen,
vilken här antages vara konstant.)
eller implicit F(Ia, Ea, Eg) = 0
Fig. 5/6. la—Ea=kurvor för en pentod vid
olika värden på styr galler spänningen.
(Skärmgallerspänningen 100 V.)
Genom partiell derivation erhålles därur
tre för rörets egenskaper betydelsefulla
derivator, nämligen
9L
brantheten 5=1
inre motståndet R;=
DE
dE,
g E, = konst.
E„=konst.
förstärkningsfaktorn ^ = —
\Jtgj h=konst.
Som synes är S-R—p (Barkhausens regel).
Inverterade värdet av förstärkningsfak*
torn betecknas genomgreppet, D=-jj , och
är ett mått på anodspänningens inflytande
på anodströmmen i förhållande till galler*
spänningens. Ett finmaskigt galler ger lågt
genomgrepp och därmed hög förstärknings*
faktor, likaså åstadkommer skärmgallret i
en pentod ett mycket lågt genomgrepp.
Pentoder ha därför mycket högt
Q
Man kan visa, att [*=—där Cgk =
Cak
= kapacitansen mellan galler och katod,
och Cak = kapacitansen mellan anod och
katod. ^ är sålunda en verklig konstant
(den svaga nedgången i n vid låg anod*
910
INGEN ]ÖRSH ANDBOKEN 1
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
