Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - H. 44. 1 december 1953 - Transistorn, av Torkel Wallmark
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
17 november 1953
935
Transistorn
Tekn. lic. Torkel Wallmark, Stockholm
Tanken att göra förstärkare med användande
av halvledare är inte ny utan har föresvävat
tekniker i åtskilliga år. Ett flertal lösningar har
patentsökts, många av dessa har utnyttjat fenomen,
som först nu kunnat tillfredsställande förklaras.
Dessa tidiga uppfinningar har, som så ofta är
fallet i teknikens historia, kommit före de
nödvändiga materialkunskaperna. De sporadiskt
påvisbara effekterna har icke rätt förståtts och
därför icke heller kunnat renodlas och
reproduceras.
En väsentlig förutsättning för förståelsen av
halvledarnas egenskaper var övergången till
enkla halvledare, i första hand grundämnet
germanium. Under anSra världskriget fann man
att likriktande kristaller av germanium eller
kisel kunde användas som detektorer och blandare
i radarutrustningar vid frekvenser upp till 30 000
Mp/s. De stora praktiska fördelar som dessa
enheter erbjöd motiverade ett närmare studium
av halvledarlikriktningens mekanism. Sådana
forskningsprogram igångsattes på ett flertal
ställen, bl.a. vid Bell Telephone Laboratories, och
vid mätningar av potentialen kring en
likriktande spets på germanium med en sönd i form av
en andra spets upptäckte J Bardeen och W H
Brattain 1948 en dittills okänd
förstärkningsverkan, som så småningom mognade i
uppfinningen av transistorn (Tekn. T. 1951 s. 657).
Sedan dessa upptäckter publicerats, har bl.a.
franska forskare påstått sig ha gjort liknande
upptäckter, ehuru dessa av militära hänsyn
hemligstämplats och till följd härav kvarblivit på ett
tidigt utvecklingsstadium.
Mycket snart efter uppfinningen av den första
transistorn, spetstransistorn ("typ A"),
uppfanns skikttransistorn av W Shockley. Det tog
emellertid några år, närmare bestämt till 1951,
innan denna idé hade praktiskt förverkligats och
resultaten kunde framläggas. 1952 presenterade
Shockley en ny transistor av väsentlig betydelse,
nämligen unipolartransistorn, och de första
uppgifterna om för experimentellt bruk framställda
transistorer av detta slag har börjat skymta i
fackpressen.
Fototransistorn är en kombination av
transistor och fotokänslig cell med mycket stor
känslighet.
621.314.7
Skikttransistorn
Den principiellt enklaste typen av transistorer,
skikttransistorn, består av en halvledare, t.ex.
germanium, med små mängder (10-5—10"8 delar)
föroreningar så arrangerade, att en zon —
n-zonen — företrädesvis innehåller föroreningar
ur 5:e gruppen i periodiska systemet (N, P, As,
Sb, ...), medan intilliggande zoner —
p-zoner-na — innehåller företrädesvis föroreningar ur
3:e gruppen i periodiska systemet (B, Al, Ga,
In...), övriga föroreningar har så långt
möjligt avlägsnats ur materialet. De rörliga
laddningsbärarna utgöres av elektroner i den zon
som innehåller föroreningar ur 5:e gruppen och
av tomma elektronpositioner eller hål i den zon
där föroreningarna ur 3:e gruppen återfinns.
Elektronerna och hålen kommer på grund av
värmerörelsen att diffundera så att en viss
utjämning äger rum, och därvid också
rekombina-tion, varvid en del av hålen och elektronerna går
förlorade. Härigenom kommer de fasta laddning-
Fig. 1.
Princip för
skikttransistor.
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
