Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - H. 44. 1 december 1953 - Transistorn, av Torkel Wallmark
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
938
TEKNISK TIDSKRIFT
Fig. 7. Transistorers
uppbyggnad; a spetstransistor, b
skikt-transistor framställd genom
en-kristalldragning, c
skikttransistor framställd med
diffusions-metod.
kristall ur en germaniumsmälta, vars
störsub-stanshalt stegvis varieras. Man kan även variera
dragningshastigheten, vilket har till följd, att
inneslutningen av störställen i
germaniumgitt-ret påverkas. Det andra och vanliga sättet är
att på bägge sidor av ett germaniumstycke med
exempelvis n-ledning lägga p-bildande
störsubstanser, som genom värmebehandling i vakuum
eller skyddsgas bringas att delvis diffundera in
i germaniet och därvid ger p-ledande zoner.
Transistorernas egenskaper
Tabell 1 ger en sammanfattning av
transistorernas egenskaper.
Förstärkning
Transistorernas effektförstärkning är något
lägre än elektronrörens och uppgår för en
spets-transistor till ca 20 dB, medan en triod ger ca
30 dB. En skikttransistor ger en förstärkning av
40 dB, medan en pentod ger ca 50—70 dB.
Effekt
Den maximala effekt som en transistor kan ge
beräknas liksom vid elektronrören av
uppvärmningen på utgångssidan, i detta fall kollektorns
spärrskikt, på grund av den oundvikliga kollek-
Fig. 8.
Halvledare i
periodiska systemet;
siffrorna ånge
■ energi språng et
i eV mellan
valens- och
led-. ningsband.
torförlusten. Medan anoden i ett elektronrör tål
flera hundra grader C, börjar redan vid ca 70°C
ett avsevärt antal termiska elektroner att
uppträda i ledningsbandet och motsvarande hål i
valensbandet. De minoritetsladdningar, som på
detta vis introduceras (elektroner i den
p-ledande zonen, hål i den n-ledande zonen) hejdas icke
av spärrskiktet (fig. 1). Förstärkningen
kortsluts därför alltmer vid ökande temperatur och
blir försumbar redan vid ca 100° C. Avgörande
för egenskaperna vid förhöjd temperatur är
avståndet mellan valensband och ledningsband
och detta uppgår, soin syns i fig. 8, till blott
0,72 eV för germanium. Bättre i detta
hänseende är kisel, och experimentella transistorer på
kiselbas har kunnat användas till ca 140° C,
vilket innebär en avsevärd förbättring. Stora
förhoppningar om temperaturtåliga transistorer
knyts till ett antal syntetiska halvledare, såsom
AlSb, InSb, SiC och andra, vars struktur och
Tabell 1. Jämförelse mellan elektronrör och transistorer
Elektronrör Spets-
Skikt-(6 AK 5) transistor transistor
Förstärkning ... dB 50 20 40
Maximal
anodeffekt .........W 1,7 0,05—0,1 0,03—2,0
Brusfaktor..... dB 1—3 45 10—20
Temperatur-
område ....... °C —40—+250 —40—+80 —40—+80
övre
gränsfrekvens ____ Mp/s 300 10—100 0,01—1
Livslängd.....tim. 5 000 > 70 000 > 90.000
Driftspänning ... V 120—180 20 0,1—35
Verkningsgrad
klass A........°/o 30 35 45—49
Storlek ........ m3 10 0,1—0,5 0,4
Vikt ............ g 10 0,3 0,1
Stabila data ..............jämförbara
Hållfasthet mot
mekanisk stöt ... g < 100 20 000 20 000
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
