- Project Runeberg -  Teknisk Tidskrift / Årgång 85. 1955 /
419

(1871-1962)
Table of Contents / Innehåll | << Previous | Next >>
  Project Runeberg | Like | Catalog | Recent Changes | Donate | Comments? |   

Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - Sidor ...

scanned image

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Below is the raw OCR text from the above scanned image. Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan. Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!

This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.

10 maj 1955

44,")

att en 50 m lång stege har en livslängd, som motsvarar
drivningen av sex 50 m stigar och att för varje stig 20 °/o
av stegdelarna måste justeras, kommer stegen att kosta
5—6 kr. per stigortmeter.

Stegen är i första hand konstruerad för vertikala stigar,
men den torde utan olägenhet även kunna användas i
don-lägiga stigar. Möjligtvis bör den i senare fallet
kompletteras med ett par stöd på varje stegdel. C-B Berglund

Diodförstärkare. De senaste årens intensiva forskning
på halvledareområdet har bl.a. lett till utvecklingen av en
ny klass av förstärkare, diodförstärkare, vilka utnyttjar
övergångsfenomenen i halvledardioder. Med denna typ av
förstärkare har man nått effektförstärkningar upp till
10 gånger per steg. Den kan även användas i olika
flip-flop-kretsar eller som bredbandsförstärkare.
Diodförstärkaren kan placeras i samma kategori som den magnetiska
(Tekn. T. 1945 s. 517; 1953 s. 77) och den dielektriska
förstärkaren (Tekn. T. 1954 s. 621), enär den i likhet med
dessa måste matas med en bärvåg av samma eller högre
frekvens än signalfrekvensen.

En halvledardiod av germanium eller kisel har två
statiska tillstånd, ett med hög ledningsförmåga då anoden är
positiv i förhållande till katoden (framspänning), och ett
med låg ledningsförmåga då anoden är negativ i
förhållande till katoden (backspänning). I det första tillståndet
bildas kontinuerligt laddningsbärare i det halvledande
materialet. Vid backspänning däremot bildas inga
laddnings-bärare. Om spänningen över en halvledardiod snabbt
skiftas från fram- till backspänning, uppträder ett
övergångsfenomen. De i skiftningsögonblicket befintliga
laddningsbärarna ger upphov till en backström, vilken försvinner då
laddningsbärarna förbrukats. Om framspänningen tas bort
utan att någon backspänning läggs på, avtar antalet
laddningsbärare med tiden; laddningsbärarnas "livslängd" är
olika i olika halvledarmaterial. Genom att göra den
pålagda backspänningen högre än framspänningen erhåller
man en hög effekt under den korta tid, som backström
flyter.

Den enklaste formen av diodförstärkare är den
motståndskopplade kretsen, fig. 1. Bärvågen är en fyrkantvåg
med frekvensen 1 MHz. Denna frekvens har valts emedan
laddningsbärarnas livslängd vid de dioder som mest
använts vid försöken var ca 1 jis. Bärvågen tillförs i A,
insignalen i B och den förstärkta signalen tas ut i C, fig. 2.

Om ingen signal finns i B, finns heller ingen signal i C,
enär diodens backresistans är mycket större än motståndet
Bl- En liten "spik", beroende på diodens kapacitans, synes
dock i utspänningen. Om en positiv spänning om ca 2 V
tillförs vid B samtidigt som bärvågsspänningen är på
noll-potential, blir den mellan A och C inkopplade dioden
ledande, emedan det flyter en ström i riktning B—C—A,
varvid laddningsbärare bildas. När bärvågsspänningen
skiftar till pius 20 V har dioden under en kort tid låg
impedans för backspänningen, varför större delen av
bärvågsspänningen faller över motståndet Rl-

En effektförstärkning på 10 gånger har uppnåtts med
20 V bärvåg. Bärvågsgeneratorn måste ha mycket låg inre
impedans under den tid bärvågsspänningen är på
noll-potential, så att större delen av insignalen faller över
dioden och ej förloras i bärvågsgeneratorn. I praktiska
fall kan bärvågen vara en halvvågslikriktad sinusvåg. Den
i fig. 1 mellan B och C inritade rördioden markerar att
signalkällan ej får belasta förstärkaren när
bärvågsspänningen är positiv.

Någon strömförstärkning (av medelströmmen) har ej
erhållits med de dioder som hittills provats. En
strömförstärkning kan dock erhållas med hjälp av en
transformatorkopplad förstärkare.

Diodförstärkaren kan användas som baskoppling för ett
flertal "dynamiska" flip-flop-kopplingar, stabila antingen
i svängande eller dött tillstånd. Vid kopplingen i fig. 3
lagras energin mellan pulserna i en fördröjningslinje.

Fig. 1. Diodförstärkare,
grundkoppling,
utvecklad vid National
Bureau of Standards.

Fig. 2. Kurvformer i förstärkaren i fig. 1.

Oscillatorn startas genom att man i B tillför en positiv
puls på 2 V varvid laddningsbärare bildas i dioden.
Nästkommande positiva bärvågspuls höjer potentialen i B till
ca 20 V och denna puls fortplantas genom
fördröjningslinjen D. Pulsen ser en oändlig impedans vid C, varför den
reflekteras med samma tecken och uppträder igen vid B
i rätt tid för att injicera nya laddningsbärare i dioden.
Enär dioden utgör en mycket låg impedans, reflekteras
en del av pulsen ånyo, nu med negativt tecken. Vid C har
man anpassning för negativa pulser, varför ingen
ytterligare reflexion uppstår. Oscillatorn återförs i viloläge
genom att en negativ puls tillföres i B. Många liknande
kopplingar har utvecklats, även enklare sådana än den
här beskrivna.

Dioderna i en diodförstärkare bör bestå av ett
halvledarmaterial, som alstrar ett stort antal laddningsbärare.
Lämpliga germaniumdioder finns redan i marknaden.
Ki-seldioder ger en betydligt snabbare transient återhämtning
än germaniumdioder och kan följaktligen användas vid
snabbare förlopp. Vid ett experiment har en flip-flop
koppling med kiseldioder arbetat med en bärfrekvens av
25 MHz, kopplingens start- och stopptid var ca 0,1 |xs.
Framtida utveckling av dioder kan göra principen
värdefull för förstärkning även vid mikrovågsfrekvenser.
Diodförstärkaren anses kunna få stor användning bl.a. i
mycket snabba elektroniska beräkningsmaskiner av siffertyp,
där man av flera anledningar (effektförbrukning, storlek,
livslängd m.m.) vill frångå elektronrör (National Bureau
of Standards Technical News Bulletin 1954 h. 10 s. 145—
148). Åke Ahrnell

Bättre målningsgrund genom oxidation i ånga. Vid
målning av stål eller gjutjärn fäster färgen ofta dåligt på
metallen. Denna förbehandlas därför ofta kemiskt, t.ex.
genom fosfatering eller oxidation. Den senare utförs så att
ett tätt och väl fastsittande skikt av Fe304 bildas. Ett enkelt
sätt att utföra den är behandling med torr ånga vid hög
temperatur. Processen sägs kosta 20—25 °/o mindre än
kemisk behandling och har fördelen att inga korrosiva
ämnen kan stanna kvar på arbetsstycken med komplicerad
form.

Metoden tillämpas bl.a. vid oxidation av smådelar av stål.
Dessa läggs i korgar och avfettas först. Därefter går de
till en ugn, som kan vara en något modifierad
anlöpnings-ugn, och förvärms i den till 340°C. Ånga av 0,35 at ö släpps
sedan på, och temperaturen höjs till 400°C vid vilken ång-

Fig. 3. Flip-flop-koppling med
fördröjningslinje.

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Project Runeberg, Tue Nov 12 16:25:26 2019 (aronsson) (download) << Previous Next >>
http://runeberg.org/tektid/1955/0439.html

Valid HTML 4.0! All our files are DRM-free