Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - H. 46. 13 december 1955 - Böcker - International electrotechnical vocabulary, av WS - Technische Hydro- und Aeromechanik, av Wll - Transistors, av Jean Dubois - Design of blast resistant constructions for atomic explosions, av G Lbg - Chemisorption, av U T—h
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
1042
TEKNISK TIDSKRIFT
En jämförelse med TNC 15, som förresten inte är helt
lätt att göra emedan en hel del termer fått nytt nummer,
visar att förändringarna i förhållande till den första
upplagan inte är oväsentliga. Elektrotekniker som är måna om
en korrekt terminologi torde därför göra klokt i att skaffa
sig den nya utgåvan. WS
Technische Hydro- und Aeromechanik, av Walther
Kaufmann. Springer, Berlin 1954. 352 s., 254 fig. 36 DM.
Förf. till denna bok är verksam vid tekniska högskolan
i München, och boken representerar i stort sett en
föreläsningskurs med några utvidgningar. Den är sålunda främst
en grundläggande lärobok i ämnet och som sådan med den
teoretiska delen ingående och väl behandlad. Givetvis görs
på vederbörliga ställen anknytningar till praktiska fall,
men någon handbok för tekniska beräkningar är boken
knappast.
En kort översikt över vätskors och gasers egenskaper,
följd av ett kapitel om vätskors och gasers jämvikt inleder
boken med sammanlagt 30 s. Hela boken i övrigt
behandlar vätskors rörelse, dvs. hydro- och aeromekanik, med
följande huvudrubriker: endimensionell strömning med
friktionsfri strömning och strömning med energiförluster,
allmän teori för två- och tredimensionell strömning med
viskösa vätskors rörelse samt gasdynamikens grunder.
Boken, som är klart skriven och försedd med goda
illustrationer, är innehållsrik och värdefull för såväl den
studerande som för ingenjören, som vill förkovra sig på
området. Den är även rik på litteraturhänvisningar.
Det enda man kan anmärka på är det använda
måttsystemet och dess tillämpning. Förf. använder det
"tekniska måttsystemet" med 1 kg som kraftenhet. Som en
följd härav betecknas specifik vikt, även kallad "Wichte",
med y och uttrycks i kg/m3. Dessutom förekommer
emellertid även täthet, "Dichte", som betecknas Q och uttrycks i
kg s2/m4. Att använda både y och g i en och samma bok
förefaller vara opraktiskt och även onödigt. Dessutom blir
framställningen i många fall ganska rörig. För ytspänning,
som tyvärr givits beteckningen r, används g-Gewicht/cm
eller p/cm (s. 23) och g/mm (s. 25), vilket ju inte är vidare
konsekvent. En följd av hopblandningen av kraft och
massa har blivit att gaskonstanten givits den hemska
dimensionen m/grad. Det är beklagligt att man inte mer
allmänt kommit på det klara med MKS-systemets många
fördelar. Wll
Transistors. Theory and applications, av Arraham
Coblenz & Harry L Owens. McGraw-Hill, New York 1955.
313 s., 116 fig. 6
Denna bok innehåller till största delen en
sammanställning av uppsatser i tidskriften Electronics mars
1953—januari 1954. Därutöver finns som inledning historiska
glimtar och som avslutning beskrivs framställningsmetoder
samt speciella utvecklingar inom transistorfysiken.
Förff. fastslår i de inledande kapitlen att elektronteorin
är otillräcklig för att förklara transistorns verkningssätt;
först genom införandet av hålteorin kan det ges en
tillfredsställande fysikalisk tolkning. Därefter berörs
kvantmekanikens grunder med speciell tillämpning på
elektronen varefter läsaren anses vara rustad för att förstå
avsnittet om halvledarnas uppbyggnad och egenskaper.
Det fysikaliska verkningssättet hos spetstransistorn och
skikttransistorn dikuteras tyvärr mycket kortfattat och
med föga anknytning till föregående kapitel, medan de
elektriska egenskaperna för små signaler åskådliggöres på
ett föredömligt sätt i ett ekvivalent schema. Detta tas
sedan som utgångspunkt vid genomgången av de
fundamentala kopplingssätten för en transistor och av
kaskadkoppling av flera dylika.
Instabiliteten hos spetstransistorn i de flesta
kopplingarna beroende på negativ in- eller utimpedans påvisas och
ett exempel ges, där denna egenskap utnyttjas, nämligen i
omkopplingskretsar. Framställningsmetoderna för tran-
sistorer beskrivs grundligt och särskilt belyses hur man
övervunnit svårigheterna att få fram de ingående
grundämnena, germanium och kisel, i den höga renhetsgrad som
krävs för god transistorverkan. Avslutningsvis behandlas
bl.a. analogtransistorn och unipolartransistorn samt olika
grundämnen och legeringar, med vilka transistorverkan
kan uppnås.
Boken vänder sig enligt förff. i huvudsak till tekniker,
som ej har tillräckliga matematiska förkunskaper att
tillgodogöra sig de mängder av lärda avhandlingar, som söker
förklara transistorns verkningssätt. Framställningen är
därför till största delen rent beskrivande förutom i de
kapitel, som behandlar transistorns användning som
kretselement, där Kirchhoffs lagar är det matematiska
underlaget.
Att få med det väsentliga om transistorns teori och
till-lämpningar i en bok av ordinärt omfång är naturligtvis
svårt. I en introducerande bok i ämnet bör man dock ej
förgäves leta efter transistorns statiska karakteristikor eller
hur man skall minska inverkan av temperaturvariationer
och brus, dessa transistorns värsta fiender. Några
praktiska kopplingar utöver småsignalförstärkare finns inte.
Trots dessa brister, vilka i viss mån kompenserats av en
diger litteraturanvisning, utgör boken en intressant källa
för den kunskapstörstande transistorteknikern.
Tryck, papper och band är utmärkta. Jean Dubois
Design of blast resistant construction for atomic
explosions, av C S Whitney, B G Andersson & E Cohen.
Amer. Concrete Inst., Detroit 1955. 93 s., ill. 1
Det amerikanska betonginstitutet har samlat
erfarenheterna från Hiroshima och Nagasaki beträffande byggnaders
motståndsförmåga mot inverkan från atombomber och
har även studerat frågan teoretiskt och genom försök med
enskilda byggnadselement. I föreliggande skrift redogörs
för ett fullskaleförsök vid Eniwetok. Även metoder för
skydd mot strålningsskador diskuteras. Bekommendationer
ges för konstruktion av motståndskraftiga
byggnadselement och flervåningshus.
Underjordiska anläggningar utnyttjar jordtäckningens
dämpande inverkan på chockfronten. Ingångarna bör ges
labyrintutformning eller möjlighet till rak genomblåsning
med sidoingång till rummen.
Friliggande byggnader angrips av den tryck- och
åtföljande sugchock, som orsakas av bombens plötsliga
värmeutveckling med åtföljande luftutvidgning och därefter
vertikala luftströmning och undertryck. Maximitryckets
storlek och varaktighet är av avgörande betydelse för
byggnaders bestånd. I formler och diagram redogörs för dessa
faktorers variationer med horisontala avståndet från
explosionspunkten och dennas höjd över marken. Metoder
anges för hållfasthetsberäkningar vid den dynamiska
belastningen. Jämförelser och korrektioner har gjorts med
hänsyn till de utförda fullskaleförsöken.
Skriften är av stort intresse för de
byggnadskonstruktörer, som har att ta hänsyn till atombombning. G Lbg
Chemisorption, av B M W Trapnell. Butterworths,
London 1954. I distribution Maxwell & Co., London. 265 s.,
87 fig. 35 sh.
Boken ger en översikt över kemisorptionens teori och
experimentella underlag på ett lättbegripligt sätt. Efter ett
inledande allmänt kapitel om kemisorption kontra
fysikalisk adsorption ger förf. i de nio följande kapitlen en
framställning av de vanliga försöksmetoderna, av
adsorp-tions- och desorptionshastigheter, adsorptionsvärme,
ad-sorptionsisotermer, kemisorptionens mekanism och
rörligheten hos adsorberade skikt, katalytisk aktivitet och
ytreaktioner samt exempel på katalytiska reaktioner.
Adsorptionshastigheten behandlas såväl från klassisk
ki-netisk synpunkt som med statistiska metoder, och förf. ger
en klar logisk framställning av de olika betraktelsesättens
begränsningar. När han redogör för adsorptionens meka-
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
