Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - H. 40. 30 oktober 1956 - Transistorn, av Bertil Bjurel - Naturgas i Frankrike, av WS
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
924
TEKNISK TIDSKRIFT
Fig. 8. Skikttransistor av
p-n-p-typ tillverkad genom
legeringsförfarande.
Fig. 9. Skikttransistor
tillverkad enligt
etsningsförfarande.
Den har goda högfrekvensegenskaper, men
samma sak gäller tack vare nya tillverkningsmetoder
även för skikttransistorn.
Tillverkning
Tillverkning av driftsäkra transistorer med
förutbestämda egenskaper har erbjudit
utomordentliga svårigheter. Kraven på renhet hos
halvledar-materialen och en exakt avvägning av önskade
föroreningar är nämligen mycket höga. De
önskade föroreningarnas kvantitet skall sålunda
vara av storleksordningen en atom per 100
miljoner atomer av grundmaterialet.
En svårighet, som först under senare tid
bemästrats, har varit åstadkommande av de tunna
basskikt som fordras för transistorer med goda
högfrekvensegenskaper.
Ett flertal olika metoder för framställning av
de olika skikten har använts under senare år.
Som exempel på en ofta använd metod kan
nämnas dragmetoden, som karakteriseras av att
kris-staller långsamt dras ur en smälta (Tekn. T. 1955
s. 957). Denna kan härvid växelvis förorenas
med önskat material (p- eller n-typ). En annan
möjlighet är att variera draghastigheten och
använda en smälta som innehåller såväl p- som
n-förorening, varvid den ena eller den andra
skikttypen erhålles beroende på draghastigheten,
fig. 7.
Vid en annan ofta använd metod har man
utgått från en tunn halvledarplatta, t.ex. av n-typ
och legerat en injektor av p-typ till plattans ena
sida och en kollektor av p-typ till plattans andra
sida, fig. 8.
En metod där ett tunt basskikt utformas genom
etsning av en halvledarplatta har också
utvecklats (Tekn. T. 1954 s. 136). Sedan önskad tjock-
lek hos basskiktet uppnåtts genom etsning,
uppbygges en injektor och en kollektor på vardera
sidan om basskiktet genom beläggning med
indium, fig. 9.
Helt nyligen har en revolutionerande metod för
åstadkommande av tunna basskikt utarbetats.
Vid denna metod går man ut ifrån en
halvledarplatta t.ex. av n-typ. Ett basskikt av p-typ får
tränga in i plattan genom diffusion under
upphettning (Tekn. T. 1956 s. 563). Man kan med
denna metod åstadkomma basskikt med en
tjocklek av endast en tusendels millimeter. Tack
vare detta tunna basskikt kan man med
germanium som utgångsmaterial bygga transistorer
för frekvenser upp till 500 MHz. Metoden
möjliggör eri mycket noggrann reglering av basskiktets
egenskaper och dimensioner och man har nu fått
en metod, som lämpar sig för massframställning
av skikttransistorer med relativt noggrant
förutbestämda data för höga frekvenser.
Även om halvledartekniken nu nått så långt att
fullt tillförlitliga element — lämpade för såväl
förstärkare som för kopplingstekniska ändamål
— är färdiga, kan man vara ^övertygad om, att
den fördjupade kunskap som vunnits vid
utformningen av dessa element kommer att leda
till utveckling av ytterligare nya typer. Tekniken
att kontrollera elektrisk energiöverföring direkt
i de fasta materialens kristallgitter kommer med
säkerhet att revolutionera framtidens
telefonteknik och leda till att den konventionella
telefontekniken överges.
Litteratur
1. Shockley, W: Transistor electronics. Proc. IRE nov. 1952 s.
1289—1313.
2. Coblens, A & Owens, H L: Transistors, theory and application.
New York 1955.
3. Tannenbaum, M & Thomas, D E: Diffused emitter and base silicon
transistors. Bell Syst. Techn. jan. 1956 s. 1—22.
4. Lee, C A: A high-frequency diffused base germanium transistor.
Bell Syst. Techn. jan. 1956 s. 23—34.
Fig. 10. Skikttransistor av kisel, framställd enligt
diffusionsmetoden.
Naturgas i Frankrike. Enligt den franska vice ministern
för handel och industri skall de 1951 upptäckta
naturgas-fyndigheterna i Lacq nära Pau i departementet Basses
-Pyrénées i sydvästra Frankrike räcka till att försörja hela
landet; 1961 skall fältets produktion med en tredjedel
överstiga Frankrikes totala förbrukning av gas.
Gasen består huvudsakligen av metan, men den
innehåller även 17 °/o svavelväte och 9 °/o högre kolväten (bl.a.
propån och butan). Den höga svavelhalten gör att gasen
angriper stålet i rörledningarna och även förstör den plast
som man använt för att skydda stålet. Det förefaller dock
som om de forskningar som varit i gång för att lösa
problemet skulle ha lyckats.
Frankrikes huvudsakliga naturgaskälla har hittills varit
oljefältet i departementen Haute-Garonne och Ariège söder
om Toulouse (Tekn. T. 1953 s. 220). Denna fyndighet
upptäcktes 1939 och utvinningen av gasen påskyndades genom
kriget. Bedan i slutet av 1942 kunde man över en
rörledning förse staden Toulouse med gas, vilket gjorde att
denna stad blev den enda av Frankrikes storstäder som
inte led av den svåra bränslebristen under kriget
(Illu-strated London News 1956 okt. 6 s. 551). WS
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
