Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1957, H. 25 - Transistorn som omkopplare i pulskretsar, av Bengt Gunnar Magnusson
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Transistorn som
omkopplare i pulskretsar
Civilingenjör Bengt Gunnar Magnusson, Linköping
Transistorn (Tekn. T. 1951 s. 657; 1953 s. 935)
kommer att få stor betydelse som
omkopplar-element. Intensivt utvecklingsarbete pågår för
närvarande över hela världen på att inlemma
den i t.ex. elektroniska telefonväxlar (Tekn. T.
1956 s. 807, 921) och automatiska
räknemaskiner. Transistorns lämplighet för sådana
uppgifter beror förutom på dess goda egenskaper
som omkopplare även på dess storlek och
effektförbrukning samt den väntade och del-
Fig. 2. Skikttransistorns symbol samt dess
ekvivalenta schema, dubbeldiodschemat; rB, rE och rK är
de linjära ledningsresistanserna mellan bas-, emitter
-och kollektorklåmmorna till det aktiva området.
Jk
621.314.7 : 621.374
vis redan realiserade pålitligheten och
livslängden.
Om man bortser från speciella bistabila
element t.ex. pnpn-transistorn1, dubbelbasdioden2,
"kopplings"-transistorn3 och
"lavin"-transis-torn4 så är den legerade transistortrioden det
bästa omkopplarelementet på grund av sina
låga tilledningsresistanser fram till det aktiva
området, fig. 1. npn-transistorn är att föredra
framför pnp-transistorn och germanium
framför kisel som basmaterial, om man önskar
snabb omkoppling®. Av i marken befintliga
transistorer8 med lämpliga egenskaper är
emellertid det övervägande flertalet
pnp-transisto-rer av germanium.
Detta beror på tillverkningssvårigheter vid
legeringar med n-material såsom fosfor,
arsenik och antimon, men när dessa lösts kommer
ännu snabbare omkopplarelement att kunna
tillverkas.
Statiska egenskaper
Den legerade transistorn är mycket noggrant
karakteriserad av dubbeldiodschemat, fig. 2,
och ekv. (1) under mycket allmänna
geometriska utföringsformer7
Ie = ~ IEo(en^E-l)-AR-IK (la)
Ik = -lKo(.eQ*K-\)-AN-lE (lb)
ÅR ’ I ko = ÅN • Ie0 (1 <0
Här är IE och I k emitter- resp.
kollektorström-men, <PE och spänningsfallen i
pn-över-gångarna hos emitter- resp. kollektordioden,
Ieo och IKo termiskt exciterade
mättnadsströmmar, som flyter i den i spärriktningen
polariserade emitter- och kollektordioden för IK = 0
och IE — 0. AN och Ar är
likströmsförstärkningen i gemensambaskoppling (GB-koppling)
när transistorn köres normalt resp. reverserad
dvs. med ombytta funktioner hos emitter- och
kollektorelektroderna. Konstanten Q är lika
med q/K 6, där q är elektronladdningen, K
Boltzmanns konstant och 6 absoluta
temperaturen. Vid t.ex. 20° C är ü = 39 • 6 V"1 och
1 /Q - 25,3 mV.
TEKNISK TIDSKRIFT 1957 4 95
Fig. 1. Skikttransistor, t.v. odlad, t.h. legerad.
Fig. 3. Jämförelse mellan transistor och relä.
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
