Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1957, H. 25 - Transistorn som omkopplare i pulskretsar, av Bengt Gunnar Magnusson
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Bottenspänningen UBE och UKe för den slutna
transistorn i spänningsmättnadsregionen
erhålles också ur ekv. (1).
Ube
j>ln {^L[i + ffd-A*)]}
Uke= [rK + rE (l + -)] Ik ~
k’
1.(1 1 + K(l-Aà
1 —
K
bn
(3 a)
(3 b)
K = I k/Ib är en viktig
dimensioneringsparameter, då den är ett mått på den uttagbara
strömförstärkningen hos transistorn som
omkopplare. Villkoret för att transistorn skall
bottna dvs. ge direkt kontakt är som synes att
K är större än BN. IE0 och IKo har försummats
vid sidan av 1B och IK samt rE vid sidan av rK,
fig. 6 och 7.
Man kan inte avsluta ett kapitel om
transistorns statiska egenskaper utan även att nämna
temperaturens inverkan på dessa. Den
viktigaste och allt överskuggande faktorn är
temperaturberoendet hos IEo och I ko som framgår
av formeln8 ®:
Ieq
Ieo°
Iko
Iko°
, -’-’o Eg
6
(4)
där IEo°, Iko° och Q0 är värden vid en viss
absolut referenstemperatur €)0 samt IE0 och
Iko värden vid en godtycklig absolut
temperatur O. Eg är det temperaturoberoende
energigapet mellan lednings- och valensband, som
för germaniumtransistorn är 0,72 V och för
kiseltransistorn 1,04 V. Exempelvis erhålles
för germanium ca 30 gånger större
läckströmmar vid 60° C än vid 20° C.
Egenskaperna i strömmättnadsregionen
påverkas alltså direkt av temperaturberoendet
hos IEo och IKo• I spänningsmättnadsregionen
erhålles en indirekt påverkan av UBE genom
att IEo ingår i ekv. (3 a). Man erhåller
nämligen en förskjutning A‡E/A6 av kurvorna
vid konstanta strömmar sådana att <]>E minskar
med ökad temperatur för alla praktiska
strömvärden. Sambandet kan lätt härledas ur ekv.
(3 a) och (4) och blir:
Fig. 6. Baskurvor UBE = f (lB) för den tillslagna
typ-transistorn för olika värden på K = 1kPb>
mättem-peratur 22°C.
AQe
A 8
Eg —<P
eo
(5)
där <PE0 är spänningsfallet över emitterdioden
vid referenstemperaturen 00. Om <PEo
försummas vid sidan av Eg, dvs. vid små
emitter-strömmai*, blir temperaturkoefficientens
absolutvärde störst och ca 2,5 mV/°C för
germanium- och 3,5 mV/°G för kiseltransistorn.
Exempelvis erhålles för germanium vid
40°C-temperaturhöjning en sänkning av
basspänningen med ca 0,1 V vid normala
basströmmar.
Dynamiska egenskaper
Transistorns dynamiska egenskaper10,11 • ^ 23
karakteriseras av väsentligen två begrepp,
nämligen gränsfrekvens wx och tidskonstant för
Fig. 7. Kollektorkurvor UKE = f{lK) för den
tillslagna typtransistorn för olika värden på K.
TEKNISK TIDSKRIFT 1957 4 95
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
