Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1957, H. 25 - Transistorn som omkopplare i pulskretsar, av Bengt Gunnar Magnusson
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 10. Direktkopplade transistorsteg.
Fig. 11. Logiska kretsar: a "och"-krets, b
"eller"-krets, c binär adder.
ligt fig. 5 att transistorn T„\s kollektorström
blir mindre än 100 |^A vid rumstemperatur,
dvs. T„ är frånslagen. Anta nu att Ta slås från
så att praktiskt taget all ström genom
motståndet R går till basen på T2 och slår till denna.
Spänningen U blir enligt fig. 6 större än 0,35
V för basströmmar större än 1,0 mA.
Kopplingens största företräde är dess enkelhet.
Fordring på god temperaturstabilitet kan dock
ej uppfyllas då strömmen i frånslaget tillstånd
snabbt stiger med temperaturen.
En mer temperaturstabil och t.o.m. snabbare
koppling, fig. 10 b, arbetar så att när
transistorn Tx slås till kommer den ögonblicket
innan befintliga spänningen över
kondensatorn C att göra att transistorn T2:s bas drives
positiv så att strömmen /B2 blir stor. Den
stationära basspänningen blir genom lämpliga
motstånd R„, R3 och spänning EB svagt positiv
och bör helst vara större än 0,1 V. Härvid
stryps T„ effektivt så att enligt fig. 5 lägsta
uppnåeliga kollektorström erhålles. Vid T^.s
frånslag drives T, extra kraftigt av motståndet
i första ögonblicket innan kondensatorn C
så småningom laddats upp. Den stationära
basströmmen bestäms huvudsakligen av
motstånden och R„ i serie.
Direktkopplade icke-linjära pulsförstärkare
kan utföras med någon av dessa
grundkopplingar. På grund av motstånden R2:s och R3:s
inverkan reduceras emellertid den uttagbara
strömförstärkningen per steg rätt kraftigt om
goda temperaturmarginaler eftersträvas. Av
denna anledning är det lämpligare att
använda kondensator- eller transformatorkoppling
om detta är möjligt då större
nettoförstärkning per steg erhålles med dessa typer.
I "och"-kretsen, fig. 11 a, måste samtliga
ingångar A, B och C till transistorerna Tv T2 och
r3 vara utstyrda för att utgången Y skall
bottna. Så fort en transistor slås från stryps
strömmen genom motståndet R, och Y blir negativ.
Beroende på transistorer, drivresurser och
krav på marginaler kan från tre upp till tjugo
transistorer kopplas i serie på detta sätt. Man
bör observera att såväl till- som
frånslags-tider vid samtidig spiinningsutstyrning av alla
ingångar förlänges proportionellt med antalet
seriekopplade transistorer.
En "eller"-krets framgår av fig. 11b. För att
ingen ström skall flyta genom motståndet R
fordras att varken Tv T2 eller T3 är fillslagen.
Så fort en, två eller tre ingångar är utstyrda
bottnar utgången Y.
Komplicerade logiska kretsar kan byggas som
utgör kombinationer av "och"- och
"eller"-kretsar som t.ex. den binära addern, fig. 11 c.
Denna mekaniserar additionen av tre binära
storheter A, B och C och lämnar som resultat
summasiffran S och minnessiffran M till nästa
binära position.
Den bistabila multivibratorn15,18•17 kan göras
mycket enkel, fig. 12 a. Fördröjningen från
pulsens applicerande på A (eller B) till dess Y
har slagit över är med
"surface-barrier"-tran-sistorer ca 100 mus. I en något mer avancerad
TEKNISK TIDSKRIFT 1957 4 95
Fig. 12. Bistabila multivibratorer.
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
