Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1957, H. 25 - Transistorn som omkopplare i pulskretsar, av Bengt Gunnar Magnusson
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 15. Fyrkantmodulator; upptill koppling, nedtill
det fyrkantmodulerade spänningsförloppet.
promissvärde måste därför alltid väljas. Vid
lämplig dimensionering kan pulsförhållanden
på ända upp till 50 % behandlas i denna krets.
Genom att kaskadkoppla flera sådana steg i
icke-linjära pulsförstärkare kan god
strömekonomi erhållas vid låga pulsförhållanden,
eftersom samtliga steg är frånslagna i vila. En
olägenhet jämfört med direkt- och kondensa-
Fig. 16. Ho ok-koppling en och dess ingångskurva,
dvs. det statiska sambandet mellan
ingångsspänning U och ingångsström 1.
torkopplade förstärkare är emellertid att
pulslängden breddas mer och mer allt eftersom den
vandrar genom förstärkaren.
Modulatorn (hackaren)20, fig. 15, får tjäna
som tillämpningsexempel. Med hjälp av
transistorn Tx utstyrs bas-emitter-kretsarna hos T„
och Ts varvid kontakt erhålles mellan
punkterna P och Q. En i förhållande till
pulsfrekvensen långsamt varierande spänning TJ1
kommer således att bli modulerad vid Q. Efter
frånskiljande av likströmskomponenten
erhålles en rektangelvåg med topp-toppvärdet
Med symmetriska transistorer fås låga
kontaktspänningsfall och lika egenskaper för
såväl positiva som negativa toppspänningar U^
Kombinationer med
pnp-och npn-transistorer
Tillgången till två komplementärt symmetriska
element som pnp- och npn-transistorn öppnar
ett helt nytt fält av tillämpningar som ej varit
aktuellt hittills eftersom härför skulle fordras
ett positronrör. Man bör emellertid varna för
alltför stränga krav på denna symmetri då två
noggrant symmetriska komplementära element
är mycket svåra om ens möjliga att realisera.
Den första kopplingen, fig. 16 a, är
"hook-kopplingen"21’22. Vissa paralleller kan dras med
en spetstransistor (E, B och K motsvarar
emitter, bas resp. kollektor hos denna) som
har A > 1. I det statiska sambandet mellan
ingångsspänning U och ingångsströmmen I, fig.
16 b, kan tre olika områden urskiljas:
Längs kurvgrenen 1 är båda transistorerna
strypta och I är således en läckström av
storleksordningen IK0.
Utmed kurvgrenen 2 är de båda
emitterdio-derna ledande medan kollektordioderna är
strypta. Lutningen motsvarar en negativ
resi-stans av storleken:
där A± och A2 är strömförstärkningen i
GB-koppling för transistorerna 2\ resp. T„. A±/(1
— A2) utgör således strömförstärkningen hos
en ekvivalent spetstransistor enligt det
föregående.
Inom område 3 är samtliga dioder ledande.
Om motståndet är lika med 0 utgör kurvan
sålunda huvudsakligen en diodkurva som
skulle gå upp till mycket höga strömvärden
för U lika med 0. Tas hänsyn till
basresistan-serna samt om motståndet R2 införes kan
strömmen begränsas till måttliga strömvärden,
i?, får emellertid ej göras så stor att kurvdel 2
försvinner.
Övergången mellan 1 och 2 ligger i allmänhet
mellan ca 0 till 0,1 V och beror på en mängd
faktorer som strömförstärkningen hos 7\ i
fram- och backriktningen, IE0 och IKo samt f?x.
Övergången mellan 2 och 3 beror förutom av
lutningen hos kurvdel 2 av basresistanserna
och /?,. Om i?2 = 0 inträffar övergången för
ek— (0,1—1,0) V för normala transistorer.
TEKNISK TIDSKRIFT 1957 5 77
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
