Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1957, H. 25 - Transistorn som omkopplare i pulskretsar, av Bengt Gunnar Magnusson
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Beroende på hur E och Z väljs erhålles olika
egenskaper hos kretsen. För Z = R’ erhålles
två stabila skärningar i A och B. Med denna
inställning kan kretsen användas som bistabil
vippa, varvid den lämpligen startas med
negativa pulser vid B för att slås från dvs. hamna
i punkten A och vid E för att slås till dvs.
hamna i punkten B. Väljes Z = Z" erhålles en
instabil skärningspunkt i C som om Z är
sammansatt av en resistans parallellkopplad med
en kapacitans ger upphov till
sågtandssvängningar vid E. Om slutligen Z = Z’" erhålles en
stabil skärning i punkten D, som gör kretsen
ekvivalent med en monostabil multivibrator.
Då man numera lyckats göra
pnp-transisto-rer, som förenar hook-kopplingens båda
transistorer1, kan man räkna med att dessa tre
kretstyper kommer att få mycket stor
användning på grund av sin enkelhet i förhållande
till tidigare nämnda multivibratorer.
Den inom transmissions- och
analogimaskintekniken använda diodgrinden, fig. 17, kan
förbättras genom en kombination av npn- och
pnp-transistorer. Om för enkelhets skull
dioderna Dx—Di antas vara likadana skiktdioder
och således har sambandet:
/ = Io(eß* _ i)
mellan strömmen / och spänningen $ över
dioden, kan man visa att spänningsfallet U
mellan P. och P„, fig. 17 upptill, för stora Id
blir:
ti 1 7 Id + 1
U = Qlnü—I
I allmänhet är I mycket mindre än Id och man
kan då förenkla ekvationen till
ß Id
Om man för transistorgrinden i fig. 17 nedtill
antar att transistorerna T1 och T„ är dels
symmetriska i normal och reverserad riktning,
dels även komplementärt symmetriska sins
emellan samt att läckströmmen kan försummas
så fås enligt ekv. 3 b samband mellan
bottenspänningarna för de båda transistorerna i
vilket I k ingår. Elimineras I k och löses U får man:
1 7»(1 + A)+1(1 -A)
fi /6(1+A)-/(1-A)
Om I är så liten att I (1 —A) är mycket
mindre än Ib (1 + A) fås approximativt
»-i-
1 — A
1 + A
Då i allmänhet A är mellan 0,8 och 1 är
spänningsfallet för transistorgrinden minst en
tio-potens lägre än vad som erhålles för
diodgrinden om Ib —Id. Då grinden spärras, dvs.
P1 göres negativ i förhållande till P3, flyter
endast läckströmmarna; detta betyder att
diod-och transistorgrinden blir likvärdiga i
spärrriktningen.
I allmänhet är varken dioder eller transisto-
Fig. 17. Jämförelse mellan, upptill diod-, nedtill
transistorgrind.
rer symmetriska. Detta är ej heller nödvändigt
om ett visst spänningsfall kan tolereras mellan
punkterna P2 och P4 i slutet tillstånd vid I lika
med 0 eller om en balanseringspotentiometer
R0 införes, fig. 18. En noggrannare analys för
osymmetriska transistorer ger vid handen, att
Fig. 18. Balanserad transistorgrind med
osymmetriska transistorer.
TEKNISK TIDSKRIFT 1957 5 77
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
