Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1958, H. 40 - Lågtemperatur-elektronik, av Jan-Rustan Törnquist
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
komplicerat och beror bl.a. på
temperatur-transienter i blystaven och på drivpulsens
utseende. För drivpulser med mycket kort
stig-tid och varaktighet mellan 0,1 och 1 fis är
förloppet följande. När en sådan drivpuls 0111 ca
150 mA passerar drivledningen induceras en
strömpuls i motsatt riktning i blystaven, fig. 7.
Denna ström växer tills dess eget omgivande
magnetfält uppgår till det kritiska värde, då
blystaven vid ifrågavarande temperatur
övergår till resistivt ledande, och den tidigare
inducerade strömmen dämpas. Blyplattan är dock
alltjämt supraledande beroende på att den har
större tvärsnittsarea än blvstaven. Under detta
förlopp värms blystaven upp och förblir
re-sistiv tills värmet förts bort. Under detta korta
tidsintervall upphör blvstavens skärmande
verkan för magnetfältet från drivledningen, vilket
kommer att omsluta läsledningen och i denna
inducera en spänningspuls.
Blystaven kyls emellertid av medan ännu
driv-pulsen ligger kvar i drivledningen. Då
driv-pulsen upphör induceras därför på nytt en
cirkulerande ström fastän i motsatt riktning
mot den förra. Drivpulsens bakkant
efterlämnar sålunda en cirkulerande ström i den nu på
nytt supraledande blystaven. En ytterligare
drivpuls av samma polaritet som tidigare ger
ingen permanent förändring av tillstånden
eller någon utspänning i läsledningen, vilket
emellertid erhålles av en drivpuls av motsatt
polaritet. Utspänningen från läsledningen
kommer således att indikera riktningen hos den
cirkulerande strömmen varför anordningen
lämpar sig som binärt minneselement.
De olika skikten förångas i allmänhet på ett
isolerande underlag och görs 10~6—10"4 cm
tjocka. Omslagstider på ca 0,01 fis vid
driv-strömmar om 150 mA har erhållits. Dessa tider
konkurrerar väl med motsvarande för
ferrit-kärnor, vartill kommer att supraminnen ej
ger några utspänningar för störda nollor etc.
(inget "zl-noise"). Från IBM påpekas att ett
supraledande minne omfattande 107 ord, vart
och ett bestående av 30 sifferpositioner, borde
kunna realiseras med en åtkomsttid av 0,01 }is
och endast kräva ca 30 1 utrymme.
Ramo-\Vooldridge’s minneselement,
persis-torn, arbetar med mera konventionella
element, nämligen en induktans L och ett
resi-stanselement K kopplade parallellt.
Vid en temperatur motsvarande kokpunkten
för flytande helium är resistanselementet
supraledande men kan återföras till normalt ledande
tillstånd med en ström Ic. Pålägges en
strömpuls med amplituden 2 Ic, fig. 8 a, blir
elementet snabbt resistivt och ström börjar flyta
genom induktansen, fig. 8 b. Denna ström
växer linjärt med tiden tills drivpulsen upphör,
varefter induktansen i sin tur söker driva en
ström i motsatt riktning mot drivströmmens
genom resistanselementet. Detta blir snart åter
supraledande och en cirkulerande ström
kommer att flyta genom persistorn.
En ytterligare drivpuls av samma polaritet
som den första ger ingen permanent föränd-
Fig. 7. Pulsprofiler i lBM:s minneselement; a
driv-ström. b ström i bli/staven, c utspänning i låsled
ningen.
ring av strömtillståndet i persistorn och ej
heller någon spänningspuls över
resistanselementet. En drivpuls av motsatt polaritet
reverserar däremot den cirkulerande strömmen i
persistorn och ger upphov till utpuls över
elementet, fig. 8 d. Utspänningen över detta
in-dikerar således riktningen hos den
cirkulerande strömmen. Dessa egenskaper gör persistorn
lämplig som binärt minneselement.
I sitt praktiska utförande består persistorns
resistiva element av en tunn förångad tennfilm,
4 • 10 5 cm tjock, 0,25 mm bred och 6 mm lång,
vilken har en resistans av 0,36 ohm vid 4°K.
Fig. 8. Pulsprofiler i Persistorn; a drivström, b
ström i induktansen, c ström i resistanselementen,
<l utspänning över resistanselementet.
1044 TEKN ISK TIDSKRIFT 1958
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
