- Project Runeberg -  Teknisk Tidskrift / Årgång 90. 1960 /
87

(1871-1962)
Table of Contents / Innehåll | << Previous | Next >>
  Project Runeberg | Catalog | Recent Changes | Donate | Comments? |   

Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Halvledarkomponenter, av Per Olof Leine och Gunnar Markesjö

scanned image

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Below is the raw OCR text from the above scanned image. Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan. Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!

This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.

Fig. 11.
T-schemat; t.v.
GB-koppling, t.h.
GE-koppling.

Fig. 10. Transistorns hybrid-n-schema.

Punkten b’ representerar ledningsbandet i
basens aktiva område.

Utgångsströmmen är bestämd av potentialen
bas-emitter och egentligen given av ekv. (5),
men då vi nu arbetar med små signaler,
blir det differentiella värdet av intresse, och
detta är givet i ekv. (14). Inverkan av
basladdningen enligt ekv. (17) representeras i schemat
av kapacitansen C&.e. Dess värde erhålles
genom differentiering av ekv. (17) och
insättning av ekv. (14).

r , 3m

OJtx

Till basen krävs en viss ström, bl.a. för att
ersätta rekombinerade hål. Detta representeras
i hybrid-.T-schemat av gb,e. Dess storlek
erhålles ur ekv. (12) och ekv. (14) till:

■ gm = <5 • gm

I hybrid-^-schemat är dessutom inlänkat en
kapacitans C^k — bas-kollektorkapacitansen —
för vilken den föregående behandlingen ej
redovisat.

Hybrid-jr-schemat återspeglar det fysikaliska
förloppet i transistorn och schemat har en rad
praktiska fördelar, så t.ex. är alla
admittansele-menten i ?r-et (men ej rb) i huvudsak
proportionella mot emitterströmmen, ekv. (14), (20)
och (21).

För mycket högfrekventa transistorer
(Mesastruktur m.fl.) måste ytterligare en kapacitans
tas med — nämligen Cbk ■— streckad i fig. 10.

Hybrids-schemat kan erhållas ur fig. 7. I
hu-vudströmgeneratorn strykes termen eQUK, och
den kvarvarande termen ersättes med sitt
differentiella värde. Kollektordioden ersättes av

ocjp

ß Jb

rGCh

K3Ch

Or

rk

L

sin differentiella kapacitans (en viss
approximation då hela reaktiva förloppet ej kan
beskrivas så schematiskt). Emitterdioden ersättes
av en konduktans i parallell med en
kapacitans, den senare representerande
laddningsupplagringen i basen.

T-scheman

I litteraturen förekommer ofta ett specialfall av
Ebers och Molls dubbeldiodschema, fig. 9. Om
schemats giltighetsområde begränsas
ytterligare, så att det endast gäller för små överlagrade
signaler, kan dioderna ersättas med de
differentiella impedanser de har i respektive
arbetspunkter. Därmed är vi framme vid
T-sche-man, fig. 11. I dessa scheman utgör
strömgeneratorerna goda approximationer till
ström-förstärkningsfaktorerna, avseende överlagrade
signaler.

Ett tidigare använt sätt att beskriva
frekvensberoendet är att inkludera det i en komplex
och frekvensberoende
strömförstärkningsfak-tor, fig. 11.

tXo

1 + jf/fx

och ß =

ßo

1 + iflfß

(22)

(20)

där / OC - CO (X /2 n är gränsfrekvensen för ex. (vid

—3 dB) och fß är motsvarande gränsfrekvens
för ß (vid —3 dB).
Härvid gäller sambanden

W2
2Dp

: öcox

(21)

(23)

(24)

Beräknar man den högsta frekvens, vid vilken
transistorn kan bringas till självsvängning,
finner man

fo.

iV

i och

(25)

där fk = rbb’ Cb’k-

Som framgått av det föregående, utgör fa och
fk transistorns primära högfrekvensdata.
Visserligen arbetar transistorn normalt i
GE-koppling, och fß skulle kanske vid första
påseende verka vara ett mera praktiskt mått på
frekvensberoendet. Enligt (23) är fx direkt
beroende av transistorns geometri, medan fß
beror av en korrektionsfaktor <5, som påverkas
bl.a. av kristallytorna och därför uppvisar både
stor spridning och stark åldring.

Man kunde här göra jämförelsen med
produkten förstärkning-bandbredd hos ett
pentod-steg — hög förstärkning ger liten bandbredd
— men produkten av förstärkning och
bandbredd är konstant och utgör ett kvalitetsmått
på röret. På samma sätt utgör fx en
förstärkning-bandbreddsprodukt för transistorn — i
specialfallet G£-koppling tar man ut
strömförstärkningen ß och får då S gånger mindre
bandbredd än vid Gß-koppling. I snabba kretsar
med rör eller transistorer är man som regel
intresserad av högsta möjliga förstärkning vid
given bandbredd; det blir alltså bandbredden

87 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Project Runeberg, Tue Dec 12 02:44:47 2023 (aronsson) (download) << Previous Next >>
https://runeberg.org/tektid/1960/0113.html

Valid HTML 4.0! All our files are DRM-free