Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Linjära förstärkare med transistorer, av Ragnar Forshufvud och Per Olof Leine
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
.. Q,
Fig. 28.
Selektiv länk
mellan två
transistorer.
den hänför sig till en viss given arbetspunkt,
och att man vid leveranskontroll måste utföra
mätningen i samma arbetspunkt. Faktorn
uppvisar en mycket kraftig spridning; för
lågfrekvenstransistorer kan det röra sig om en
faktor 1—4 mellan yttergränserna. Observera
emellertid, att bortsett från en del extrema
konstruktioner, är det endast det lägsta värdet
på hllE, som har någon betydelse.
Småsignalparametern hne mäts på
motsvarande sätt, men här moduleras basströmmen med
en liten överlagrad signal och på
kollektor-sidan mäts den utgående överlagrade
signalen. Mätprincipen blir således identisk med
den föregående.
Läckströmmar till bas och kollektor
Läckströmmarna mäts direkt med instrument
i de olika kretsgrenarna, fig. 30. Även här
väljer man en låg mätspänning. En läckström
skall vara dels stabil och dels i det närmaste
spänningsoberoende. Däremot är
läckström-men extremt temperaturkänslig, och
temperaturen måste avläsas. Läckströmmarna är
normalt mycket låga och ofta har man inte
tillräckligt känsliga instrument tillgängliga.
Detta gäller speciellt för kiseltransistorer. En
god metod är därför att mäta läckströmmarna
vid en förhöjd temperatur, t. ex. 75°C, där
man enligt fig. 31 erhåller ett värde, som är
100 gånger så stort som det vid
rumstemperatur. Denna mätmetodik är inte någon
nödlösning, emedan i praktiska kopplingar
läck-strömmen blir av betydelse endast vid höga
temperaturer. En onormalt hög läckning kan
tyda på att en transistor utsatts för åldring
eller överbelastning.
Fig. 29. Enkel mätmetod för
strömförstärknings-faktorn hlie. Kollektorströmmen injusteras med
de-kaden till samma talvärde x i milliampére, som
spänningen i voit pä basmatning skällan.
Emitterläckström
Mätning av emitterläckströmmen, Iebo> är av
föga praktiskt intresse. Kortslutning eller
avbrott mellan emitter och bas upptäcks lättare
vid den enkla strömförstärkningsmätningen.
Detta gäller även det fel, som består i en
kortslutning mellan kollektor och emitter,
eftersom kollektorströmmen i detta fall helt
bestäms av skyddsmotståndet och inte låter sig
styras av basströmmen.
Fel av denna art tyder i regel på att
transistorn varit utsatt för överspänning på
kollektorn, eller att värmeutvecklingen i transistorn
varit för hög.
Genombrottsspänning
Genombrottsspänningen UKEmax mäts enklast i
den koppling med oscilloskop, fig. 32. Det
finns vissa möjligheter att göra statiska
mätningar, men dessa tar lång tid och ganska
stor risk för fel föreligger. Storheten UxEmax
är tyvärr temperaturberoende och den är
därtill en storhet, som är utsatt för märkbar
åldring.
Uppgifter ur datablad
Med maximalvärden ("absolute maximum
ra-tings") menar man begränsningar i spänning,
ström och temperaturer som satts av
fabrikanten. Dessa maximalvärden sätts ofta på
ganska lösa grunder. En rättvis jämförelse
mellan olika transistortyper kan alltså vara
svår att göra. Många gånger är de angivna
gränserna överdrivet optimistiska. Denna
tendens förekommer särskilt i amerikanska
datablad.
Rent allmänt gäller därför att man bör
undvika att utnyttja de tillåtna värdena till
bristningsgränsen. Tyvärr spökar här en
vanföreställning, nämligen den att transistorn har
oändlig livslängd under förutsättning att den
inte genast går sönder. Vi vet numera att
varje reducering av transistorns belastning
betalar sig genom ökad livslängd.
Extremt låga kollektorströmmar bör dock
undvikas, inte därför att låg ström påskyndar
åldringen, men därför att åldringsfenomenen
framträder särskilt tydligt vid låga
strömmar.
Maximalspänning
Avsikten med de angivna gränserna i fråga
om spänning skall vara att användaren
garanteras att han ligger på betryggande avstånd
från genombrottsspänningen. Vidare bör man,
om man ej överskrider det givna
maximalvärdet, kunna vänta sig rimlig livslängd.
Däremot innebär de givna gränserna ingen garanti
mot termisk strömrusning i olyckligt valda
kopplingar.
Det är viktigt att veta, att
säkerhetsmarginalen för genombrott i praktiken är liten. Även
mycket kortvariga överspänningar, orsakade
av t. ex. en induktans i serie med kollektorn,
kan förstöra transistorn.
109 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
