Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Linjära förstärkare med transistorer, av Ragnar Forshufvud och Per Olof Leine - Transistorn i pulskretsar, av Gerhard Westerberg
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Öppen inqånq
eller eventuellt
2 k SI 1
Fig. 32. Schema för oscillograf mätning av UKEmax-
ningens inverkan. Spridning och medelvärde
hos parametrar kan nämligen variera starkt
från leverans till leverans. Det finns exempel
på att man grundat konstruktioner på
transistorsändningar, som haft ovanligt goda
egenskaper, och råkat i svårigheter, när fabrikan-
ten senare levererat transistorer med normala
egenskaper.
Av speciellt intresse är de angivna värdena
för transistorns läckströmmar, eftersom de
blir avgörande för transistorns användbarhet
vid höga temperaturer. Det finns många
olika sätt att ånge läckströmmarnas värden. Den
mest användbara storheten för praktiska
konstruktioner är maximalvärdet av
kollektor-diodens backström, Ikbo» angiven vid hög
temperatur, t. ex. 60 eller 75°C. Ikbo är vid liög
temperatur en jämförelsevis väl definierad
storhet och spridningen är här mindre än vid
låga temperaturer. Detta sammanhänger med
en viss korrelation emellan Ikbo’s värde vid
rumstemperatur och dess temperaturberoende.
I nödfall får man klara sig med mindre väl
definierade storheter som Ikeo eller Ikbo "vid
rumstemperatur och utnyttja av fabrikanten
angivna kurvor för temperaturberoendet.
När man inte kan finna de data, som man
verkligen är intresserad av, bör man inte
tveka att ta kontakt med fabrikanten. En ständig
ström av förfrågningar är det enda sättet att
uppfostra fabrikanterna till att ge utförliga
specifikationer.
Transistorn i pulskretsar
Civilingenjör Gerhard Westerberg, Stockholm
Fig. 1. Koppling
och
motsvarande karakteristiska kurvskara för
npn-transistor
med resistiv last.
npn
Den pulsteknik som bygger på transistorn har
kommit att få ganska stora likheter med
motsvarande kretsteknik för elektronrör. Man
brukar dock ej kunna byta ut dessa komponenter
mot varandra i pulskopplingar, eftersom rören
och transistorerna i allmänhet arbetar på olika
impedansnivåer. Medan en rörvippa drivs med
en anodspänning av kanske 200 V, utgör
motsvarande spänning i en transistorkoppling
sällan mer än 10 V. I gengäld kan man i en tran-
621.382 : 621.374.3
sistorkoppling ta ut förhållandevis stora
strömmar, eftersom effektförlusten där blir låg på
grund av det låga spänningsfallet över
transistorn när den fungerar som sluten kontakt.
Genom att transistorerna kan erhållas i
npn-och pnp-utförande erbjuder de en del nya
kopplingsmöjligheter som saknar motsvarighet
i rörtekniken.
Pulskopplingar där man utnyttjar
npn-pnp-kombinationer har ännu ej kommit till så stor
användning som man kanske hade väntat.
Detta beror nog delvis på att lämpliga
npn-tran-sistorer hittills varit dyra och sällsynta. Vidare
är det av visst värde att i ett system
genomgående kunna använda en och samma klass av
transistorer. Man använder alltså nu
huvudsakligen pnp-transistorer, vilket bl.a. medför att
man arbetar med negativ kollektorspänning och
positiv spänning för strypning av
transistorerna.
I kretsar för generering av analoga förlopp,
t.ex. linjära svep, har transistorn ej slagit ut
elektronröret på samma sätt som i den mera
renodlade pulstekniken. Detta kan förklaras av
137 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
