Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Transistorn i pulskretsar, av Gerhard Westerberg
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
tion av IB med I k som parameter, fig. 5.
Kurvorna har ett minimum och för varje 1k finns
alltså ett optimalt värde för IB med hänsyn till
förlusterna. Ur minimipunkterna kan även
erhållas Pf som funktion av /k vid optimal
ut-styrning, fig. 6. Av dessa kurvor, där hänsyn
har tagits till spridningen hos
transistorparametrarna, framgår, att förlusten per uttagen
milliampére ökar snabbare med strömmen vid
högre strömuttag. Man bör därför ej driva en
transistor på gränsen till vad den tål, emedan
då ett något sämre exemplar av samma typ kan
utsättas för kanske den dubbla effektförlusten.
Transistorn som öppen kontakt
När transistorn arbetar som öppen kontakt
erhålls en viss kollektorläckströin. Denna
läck-ström antar olika värden, som bestäms av på
vilket sätt transistorn är strypt. Enligt Tekn.
T. 1960 s. 81—93 skrivs kollektorströmmen
för en pnp-transistor som arbetar i aktiva
området (exempelvis som små signalförstärkare):
-lK= Ioe-l’E+IKR
där I0 är en "nyttig" och I kr en icke önskvärd
kollektorläckström och där I0 är mycket
större än IKR.
I det fall att transistorn är strypt med en
positiv spänning på basen (UE större än några
tiondels voit) kan den första termen
försummas och man har en läckström [ IK ] æ 11Kr \ ■ I
fallet UE = 0, dvs. med basen kortsluten till
emittern blir läckströmmen
| lK j æ lo
Man kan även tänka sig att transistorn stryps
genom att bastilledningen bryts. I detta fall
kommer kollektorläckströmmen IKR att ladda
upp basen negativt precis på samma sätt som
en yttre drivström av värdet 1KR skulle göra.
Denna yttre drivström till basen skulle då ge
en kollektorström I k = B • I kr (B
strömförstärkningen i gemensam emitterkoppling). Nu
tillkommer dessutom I kr så att totala
läckströmmen när basen får "hänga fritt i luften" blir
IK=IkrV + B) (3)
Dessa läckströmmar är teoretiskt sett
spänningsoberoende strömmar. I praktiken blir
läckströmmen ej i något av de tre fallen
spänningsoberoende, fig. 7.
Det starka spänningsberoendet för
läckström-marna har två orsaker, för det första
överlagras på de olika läckströmmarna resistiva
läckströmmar, exempelvis i form av överledning
mellan elektroderna på kristallens yta och
vidare ger I kr upphov till en viss
elektronhålmul-tiplikation som medför en skenbar ökning av
likströmsförstärkningsfaktorn B. Då denna
multiplikation ökar med den energi som
strömmens, Ikr, laddningar upptar under sin passage
genom kollektorspärrskiktet kan B vid
tillräcklig kollektorspänning bli oändligt stor varefter
läckströmskurvan antar negativ lutning.
Temperaturberoendet hos Ikr och termisk
elektrisk återkoppling kan även medföra en
wW
stark ökning av läckströmmen vid hög
spänning. Både med hänsyn till
elektronhålmulti-plikation och termisk strömrusning medför
fallet med bruten bastilledning största risk för att
transistorn skall förstöras. För en ordentligt
strypt transistor, kurva a, medför
läckström-mens starka temperaturberoende vid en
temperaturförhöjning en parallellförskjutning av
kurvan till läget a’, fig. 7.
Dynamiska egenskaper
Man brukar för små signaler definiera en övre
gränsfrekvens a>B vid vilken
strömförstärk-ningsfaktorn B sjunkit till 1/1/2 av värdet vid
låga frekvenser. Under förutsättning att
strömförstärkningen samt övre gränsfrekvensen är
oberoende av transistorns arbetspunkt, erhålls
lätt transistorns tillslagstid om den bringas att
leda med en konstant strömpuls Ibi på basen,
eftersom transistorns tidskonstant vid svar
på språngartade ändringar måste vara just
rN=\/aB.
Tillslagstiden blir då, fig. 9, definierad som
mA
0 20 W 60 BO 100 V
Uk
Fig. 7. Kollektorströmmen Ijc som funktion av
kol-tektoremitterspänningen Uk för tre olika fall av
transistorn arbetande som öppen kontakt; a viss
strgpspänning mellan basen och emittern, a’
motsvarande kurva vid högre temperatur, b basen
öppen, c basen och emittern kortslutna; a och b
utgör ytterlighetsvärden mellan vilka
läckströmskurvan alltid måste ligga.
Fig. 6.
Förlusterna PE som
funktion av
kollektorströmmen
1K hos OC 72
vid optimal
ut-styrning.
114 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
