- Project Runeberg -  Teknisk Tidskrift / Årgång 90. 1960 /
116

(1871-1962)
Table of Contents / Innehåll | << Previous | Next >>
  Project Runeberg | Catalog | Recent Changes | Donate | Comments? |   

Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Transistorn i pulskretsar, av Gerhard Westerberg

scanned image

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Below is the raw OCR text from the above scanned image. Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan. Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!

This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.

satorn före ocli efter tillslaget (dvs. skillnaden
mellan kondensatorspänning vid strypt resp.
öppen transistor). Om kondensatorn dessutom
effektivt skall nedbringa efterlednings- och
falltiden blir dess värde större än enligt (10).
I praktiken är det enklast att pröva sig fram
från fall till fall.

I snabba transistoromkopplare vållar i
allmänhet efterledningen det största problemet.
Efterledningen kan nästan helt elimineras, om
man ej driver transistorn hårdare än tills den
nätt och jämnt bottnar. Man önskar emellertid
hård drivning under in- och
utsvängningsför-loppen för att motsvarande tider skall
nedbringas.

Dessa motriktade önskemål på drivströmmen
kan uppfyllas med en enkel motkoppling, fig.
10. Dioden mellan kollektor ocli
bastilledning-en begränsar här automatiskt basströmmen när
kollektorn närmar sig bottnat läge, varvid
kollektorns spänningssving begränsas innan
kollektorn nått bottning.

Man kan välja den nivå vid vilken
motkopp-lingen inträder och därmed kollektorns
slutspänning genom att ändra resistanserna i
bas-spänningsdelaren. Så t.ex. kan man vinna 2 ^.s
i efterledningen med motkoppling för en
relativt långsam transistor (OC76), fig. 10. I detta
speciella fall är in- och utsvängningstiderna
ganska långa beroende på att någon
kondensator enligt fig. 10 ej används på drivsidan. Även
för snabbare transistorer kan man minska
efterledningen med diodmotkoppling men
kopplingen är ej lika effektiv här bl.a. beroende på
att diodens egen efterledning ej blir
försumbar.

Vid en plötslig ökning av kollektorströmmen
hos en redan bottnad transistor kan det
inträffa, att kollektorn ej förmår hållas kvar i
bottnat läge trots att den tillgängliga drivströmmen
på basen borde vara tillräcklig för att hålla
kollektorn säkert låst vid emittern. Detta beror på
att transistorns förstärkning ställer in sig på
det värde som fordras för att vidmakthålla den
stadigvarande kollektorströmmen. När ett
momentant behov av större kollektorström
uppstår, hinner transistorns strömförstärkning i
bottnat läge ej ögonblickligen ställa om sig för
det nya belastningsfallet. Den tid det tar att
uppnå ett nytt jämviktsläge är bestämd av coB,
dvs. den spänningstopp som uppträder på
kol-lektorsidan återgår till den ursprungliga nivån
med en tidskonstant r^(= 1 / coB).

Detta fenomen kan exempelvis föra med sig,
att en vippa där den ledande transistorn blir
utsatt för en momentan belastningsökning,
kantrar. Vid tillräcklig överskottsdrivning av
den ledande transistorn brukar emellertid
fenomen av denna kategori kunna undvikas.

Blockingoscillatorkopplingar
Transistorblockingoscillatorn, fig. 11 t. v. är
mycket användbar då det gäller att generera
kraftiga strömpulser med hjälp av få
komponenter. I olika driftfall uppstår olika
problemställningar. En mera allmän undersökning av



Fig. 10. Efterledningen te för en transistoromkopplare kan nedbringas
med diodmotkoppling; t.v. koppling, t.h. kurvformer, a utan diod, b
med diod, varje ruta anger, efter abskissan 2 us, efter ordinatan 5 V.

Utlösningspulser
~\f

[-Utlösnings-pots^-]

{+Utlösnings-
pots^+}

Fig. 11. Kollektor och basspänning samt kollektorström som funktion
av tiden i en blockingoscillatorkoppling som styrs med ett tåg av
utlösningspulser; t.v. koppling, t.h. typiska kurvor, strömpulsen
sammansätts av den överreducerade drivströmmen Ib\ = (njn,)’ ■ E/RB,
belastningsströmmen Il = FJilif samt magnetiseringsströmmen Im som ökar
med tiden under pulsen tills basströmmen ej häller transistorn bottnad.

[-Utlösnings-pulser-]

{+Utlösnings-
pulser+}

Fig. 12. Blockningsoscillator med skyddsmotstånd r i serie med
primärlindningen, t.v. koppling, t.h. typiska kurvor över kollektorspänningen
U/c och spänningen Ur över skyddsmotståndet som funktion av tiden.

142 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Project Runeberg, Tue Dec 12 02:44:47 2023 (aronsson) (download) << Previous Next >>
https://runeberg.org/tektid/1960/0142.html

Valid HTML 4.0! All our files are DRM-free