Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Tillförlitlighet hos transistorer, av T Geoffrey Charles och Dag Hartman
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
160MA
3,3 kß
Fig. 2. Koppling för mätning av den karakteristiska
spänningen Uke- Den angivna resistansen 3,3
kilo-ohm är lämplig för smäeffektstransistorer.
ningen mellan kollektorn och emittern för en
kollektorström av 160 |.iA i en koppling med ett
motstånd på 3,3 kohm mellan bas och emitter,
fig. 2. Detta värde på resistansen är lämpligt
för småeffekttransistorer. Det har visat sig, att
Uke är mycket känslig för pågående ändringar
inne i transistorn. Den ger t.ex. tidig varning
beträffande förekommande ändringar i Ikbo
och B och samtidigt är den, så vitt vi för
ögonblicket vet, den enda mätning, som går att
utföra som allprov och som visar förekomsten av
ett relativt nytt fenomen, som vi liar kallat
kritisk spänning.
Den kritiska spänningen framträder vid
kontroll av Ikbo• Även om man t.ex. vid mätning
med oscillograf vid normal kollektorspänning
får ett Ikbo som är lielt acceptabelt kan man
vid en viss lägre spänning (30—60 % av
spärrspänningen) se hur lKBo börjar sakta öka och
efter ca 30 s upptar ett värde, som ofta är 15
25 50 75 100 125 ’C
Kristal/temperatur
Fig. 3. Felfrekvens som funktion av
kristalltemperatur vid smäeffektstransistorer, x enligt tillverkare,
o enligt förbrukare,–-uppskattad medelfrekvens.
gånger större än det ursprungliga värdet, ökas
eller minskas spänningen utanför detta kritiska
område, återtar 1kbo lika sakta sitt ursprungliga
värde. Detta fenomen har man funnit hos ca
80 % av alla transistorer som har en
karakteristisk spänning UKE under 15 V men har inte
hittats hos någon transistor som har normalt
värde på Uke• Något uppvärmningsfenomen
kan det inte vara fråga om och anledningen till
att fenomenet inte har observerats förut är att
det kritiska området ligger över området för
mätning av Ikbo °ch under området för
mätning av spärrspänningen. Dessutom uppträder
fenomenet med en tidsfördröjning av ca 30 s
vilket gör att man ej upptäcker det med en
snabb provningsmetod.
Användning av oscillograf för leveranskontroll
av storheterna IkbO’ Iebo och ß kan
rekommenderas. En oscillografisk metod tar inte längre
tid än andra mätningar och har dessutom den
fördelen, att den ger värdefulla informationer,
som är svåra att få på annat sätt. Även en
tämligen okvalificerad person observerar snabbt
onormaliteter. För att nämna ett exempel så
ser man mycket tydligt på en oscillograf de
ibland uppträdande pilformiga spetsarna på
Ikbo- och /£B0-karakteristikorna. Dessa är
svåra att upptäcka på annat sätt och är farliga,
eftersom de utgör en negativ resistans som lätt
ger högfrekvenssvängningar.
Felstatistik
Felstatistik dels ur litteraturen, dels från
tillverkare och användare har sammanställts så
att den visar förhållanden mellan antal fel
uttryckt i % per 1 000 h, som funktion av
temperaturen, fig. 3. Den streckade linjen motsvarar
ett försök att pricka in ett medeltal och det
synes som om felfrekvensen under
arbetstemperaturen 40°C skulle vara tämligen konstant.
Det har ibland antytts, att felfrekvensen
återigen skulle stiga vid låga temperaturer. Man
förefaller dock ha rätt liten information just
på denna punkt, men två tillverkare som har
utfört långtidsprov vid temperaturer mellan
—40 och —55°C har rapporterat att de ej har
funnit någon tendens till ökning av
felfrekvensen där. En av dessa tillverkare, som fyller
sina transistorer med gas, har funnit, att det är
önskvärt att använda en getter i transistorerna
vid låga temperaturer för att absorbera fukt,
som vid låga temperaturer kan fällas ut på
kristallen. Den andra tillverkaren, som fyller
sina transistorer med fett, har inte märkt något
liknande.
Beträffande en faktor av stor betydelse för
konstruktören råder det fortfarande inte någon
enighet. Denna är vilka gränser som bör sättas
för livslut vid långtidsprovning. Olika
tillverkare tillämpar olika gränser. Endast
beträffande Ikbo råder eniehet, de flesta tillverkare
sätter här en gräns vid två gånger den
ursprungliga strömmen. Eftersom transistorerna vid
provens början skall ligga under det maximala
värdet för Ikbo måste konstruktören i prakti-
TEKN I SK TIDSKRIFT 1960 H. 5 121
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
