Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Tillförlitlighet hos transistorer, av T Geoffrey Charles och Dag Hartman - Transistorlitteratur
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
en kollektorläckström av några jiA i öppet
tillstånd och denna ökar snabbt med
temperaturen (ca 10 % per °C). I spänningsdelare
anslutna till transistorer måste man alltid ta
hänsyn till dessa temperaturberoende
läckströmmar. Germaniumtransistorer används ej gärna
vid omgivningstemperaturer över 50—60°C. Ju
hårdare transistorerna drivs desto lägre måste
omgivningstemperaturen vara. Snabbheten hos
transistoriserade pulskretsar begränsas ofta av
transistorernas efterledning. Efterledningen
har den verkan att transistorerna (även snabba
sådana) ej bryter belastningsströmmen
momentant utan emitter och kollektor "klibbar" ett
ögonblick efter det att transistorns basström
strypts. Efterledningen varierar mellan 0,1 och
10 (.is för normala transistorer.
Transistorerna är även som tidigare nämnts
känsliga för överspänningar. Uppges t.ex. 10 V
som högsta tillåtna kollektorspänning brukar
kollektorspärrskiktet bryta samman vid 20—
30 V. Tillfälliga överspänningar kan tolereras
under förutsättning att den effekt som ligger
bakom är begränsad. Faran för
termisk-elekt-risk återkoppling på grund av
läckströmmar-nas temperaturberoende, som medför att
transistorn förstöres, kan motverkas genom
lämpliga motkopplingar. I normala vippkopplingar
är detta fenomen dock inget problem.
På grund av transistorernas låga
impedansnivå måste elektrolytkondensatorer i stor
utsträckning användas för avkoppling. Den
relativt stora serieresistansen hos dessa
kondensatorer kan dock orsaka vissa problem. Av samma
orsak spelar ledningsinduktansen en
framträdande roll då man börjar använda transistorer
vid högre frekvenser.
Transistorlitteratur
Som en vägledning för den som vill tränga
djupare in i detaljfrågor om transistorn och
som söker speciella tillämpningar anges i det
följande ett urval av den aktuella litteraturen.
Skall några verk framhållas framför de övriga,
kan man säga, att Hurley1" ger en lättläst
översikt, medan Shea10 är mer djupgående och
fullständig, men samtidigt svårare. För den som
önskar litteratur på svenska rekommenderas
Transistorgruppens vid KTH rapporter18 över
aktuella problem som har bearbetats av
gruppen. Vissa av dessa rapporter ger även
översikter. Halvledarteknikens utveckling fram till
1952 och 1958 har sammanfattats av Institute
of Radio Engineers30.
1. Shockley, W: Electrons and hölen in semiconductors.
Van Nostrand, Princeton, N.Y. 1950.
2. Hunter, L P: Handbook of semiconductor electronics.
McGraw-Hill, New York 1956.
3. Dosse, J: Der Transistor. Oldenbourg, Munchen 1957
(Bra och lättläst introduktion).
4. Ddnlap, W: An introduction lo semiconductors. Wiley &
Sons,, New York 1957.
5. Markesjö, G: Elektroteknisk handbok: Radio, radar,
television, ljudteknik, kap. 9: Transistorer. Natur och Kultur,
Stockholm 1959.
6. Lundqvist, D: Moderna halvledarkomponenter, bd 1.
Hafo Publ. nr 3, Stockholm 1958.
7. Brooks, H: Advances in semiconductor science.
Pergamon, London 1959 (Behandlar en mängd speciella problem
i korta uppsatser).
8. Spenke, E: Elektronische Hatbteiter. Springer, Berlin
1956.
9. Vasseur, .1: Propriélés el applicalions des transistors.
Société Fran^aise de Documentations Electroniques, Paris
1958.
10. Shea, R F: Transistor circuil engineering. Wiley &
Sons, New York 1957.
11. Carroll, .1 M: Modern transistor circuils. McGraw-Hill,
New York 1959.
12. Carroll, j M: Transistor circuils and applicalions.
McGraw-Hill, New York 1957.
13. Lo m.fl.: Transistor electronics. Prentice-Hall,
Engle-wood Gliffs 1955.
14. Mende, II: Leitfaden der Transistortechnik.
Franzis-Verlag, München 1959.
15. Hurley, R: Junction transistor electronics. Chapman &
Hall, London 1958.
16. Linvill & Schimpf: The design of tetrode transistor
am-plifiers. Bell Syst. Techn. J. 1956 juli s. 813.
17. Bruun, G: Common-emitler transistor video nmplifiers.
Proc. Inst. Radio Engrs 1956 nov. s. 1561.
18. Transistorgruppens rapporter. Inst. Radioteknik KTH,
Stockholm.
19. Markesjö, G, m.fl.: Transistorteknik. Nord. Rotogravyr,
Stockholm 1958.
20. Bevitt, W D: Transistors handbook. Prentice-Hall,
Englewood Cliffs 1956.
21. Ebers, J J, & Moll, .1 L: Large-signal behavior of
junction transistors. Proc. Inst. Radio Engrs 42 (1954) dec.
s. 1761.
22. Moll, J L: Large-signal Iransient response of junction
transistors. Proc. Inst. Radio Engrs 42 (1954) dec. s. 1773.
23. Bright, R L: Junction transistors used as switches.
AIEE Träns. 74 (1955) mars s. 111.
24. Kruper, A P: Switching transistors used as a siibstilute
for mechanical löw level choppers. AIEE Träns. 74 (1955)
mars s. 141.
25. Sard, E W: Junction-transistor muttivibrators and
flip-flops. Conv. record of IRE 1951, bd 2. (lei 2: Circuits theory
s. 119.
26. Shockley, E, Sparks, \v, & Tf.al, G K: p-n junction
transistors. Phys. Rev. 83 (1951) s. 151.
27. Kidd, M C, IIasenberg, W, & Webster, W M: Delayed
coltector conduction, a neil) effect in junction transistors.
RCA Review 1955 mars s. 16 (Teoretisk analys av
avalanche-transistorn).
28. Salow, II & von Munch, W: tiber einen
Schalttransistor mit kurzen Sprungenzeiten. Z. angew. Physik S (1956)
li. 3 s. 114.
29. Magnusson, B G: Transistorn som omkopplare i
pulskretsar. Tekn. T. 87 (1957) s. 571—579.
30. Kruger, B: Transistorns statiska egenskaper som relä.
Elteknik 1 (1958) h. 8 s. 129—133.
31. Narud, .1 A, & Aaron, M R: Analysis and design of a
transistor bloeking oscillator including inherent
nontineari-ties. Bell System Techn. J. 1959 maj s. 785.
32. Transistor technology, av anställda vid Bell System
Telephone Laboratories, bd 1—3. Van Nostrand, New York
1958.
33. Transistor reliability symposium, Proceedings,
September 17 and 18, 1956. New York Univ. Press, New York 1958.
34. Milnes, A G: Transistor circuils and applications. IEE.I
304 (1957) nov. s. B 565—580.
35. Jones, D D, & Hilbournf., R A: Transistor audio
ampli-fiers. Iliffe & Son, London ia57.
36. Kammerloker, J: Transistoren. C F Winter’sche
Ver-lagshandlung, Füssen 1959.
37. Middlebrook, R D: Junction transistor theory. Wiley &
Son, New York 1957.
38. Cattermole, K W: Transistor circuits. Heywood Co,
London 1959.
39. Specialnummer i halvledarteknik. Proc. Inst. Radio
Engrs 1952 nov. och 1958 juni.
124 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
