Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 3. Motstånd och resistans - Motstånd med linjär resistans - Motstånd vid höga frekvenser
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 307
Ekvivalent schema
för = stavmotstånd.
Över motståndsba-
nan får man tänka
sig en parallellkapa-:
citans C,, = tilled-
ningstrådarna ger en
serieinduktans = L.
och ytskiktet en in-
duktans Lr i serie
med resistansen R.
Elektronikens grunder 4
Cp Cp
Ls das Ls Is ist
SZ) / I N ETS 2 LÅR R 73
Cp=0;s PION 1pF
kohm. Vid denna frekvens bör därför inte motståndsvärden
högre än ca 1 kohm utnyttjas när det gäller I W-motstånd, för
1/2 W-motstånd kan 2 kohms motstånd användas.
Märk dock att i de fall stavmotstånd inkopplas som dämp-
motstånd över avstämda kretsar kommer motståndets parallell-
kapacitans att ingå i avstämningskretsens kapacitans och man
kan då genom trimning av kretsen eliminera inverkan av mot-
ståndets kapacitans. Man kan då räkna med att motståndet
vid inte alltför höga frekvenser fungerar som ett dämpmot-
stånd med resistans = det påstämplade resistansvärdet för lik-
ström.
Vid mycket höga frekvenser kommer även induktansen Ls
hos tilledningstrådarna hos ett stavmotstånd att inverka. Se
fig. 307. Storleken av resistansskiktets induktans Lr är be-
roende av motståndets konstruktion, vid ytskiktsmotstånd är
den bl. a. beroende av hur kolskiktet anbringas. Induktans-
värden på Lr mellan 1 muH och 1 uH kan förekomma, det
högre värdet endast vid högohmiga ytskiktsmotstånd som har
ytskiktet anbringat i spiral kring den isolerande kroppen.
Vid 160 MHz är reaktansen för 1 uH= 1000 ohm, för
1 muH är den= 1 ohm. Dessa värden ger en fingervisning om
vilka reaktansvärden som kan uppträda; i de allra flesta fall
kan man helt bortse från inverkan av stavmotstånds induktiva
komponenter.
För integrerade motstånd gäller samma ekvivalentschema
som för stavmotstånd. Man kan räkna med att tunnfilmmot-
stånd kan användas upp till ca 1000 MHz, integrerade halv-
ledarmotstånd upp till ca 100 MHz.
Trådlindande motstånd uppvisar alltid — såvida inte lind-
ningen är anordnad bifilariskt — hög induktans, varför så-
dana motstånd icke kan utnyttjas för högre frekvenser.
49
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
