Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 4. Kondensatorer och kapacitans - Olika typer av kondensatorer - Integrerade kondensatorer
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
c)
Si02
NS
<S Max ca Imm
> SS
SN RT
aluminium; ovanpå detta påföres ett tunt oxidskikt, vanligen av
kiseloxid, SiO. Se fig. 411 a. Denna oxid har i tunna skikt en
elektricitetskonstant £=5,5—7 och en förlustfaktor tgå=5-
:107>. Ovanpå oxidskiktet påföres sedan ytterligare ett alumi-
niumskikt, som utgör kondensatorns andra belägg.
Man arbetar med skikttjocklekar ner till ca 5 um, vilket ger
en genomslagshållfasthet av 40 V; man får då en kapacitans
per cm? som enligt en av beräkningsformlerna i fig. 402 blir
EKA INET VISTGO/SEOT LOSE:
I fig. 412 visas en kurva som för kvadratiska tunnfilmkon-
densatorer anger kapacitansen som funktion av kondensator-
beläggens bredd b. Kurvan gäller för ett dielektrikum som ger
kapacitansen 9000 pF/cm?. De kapacitansvärden som kan
erhållas i tunnfilmkretsar av mikrotyp håller sig mellan 10 pF
ock 2SmhE.
Integrerade tunnfilmkondensatorer utföres också med halv-
ledarmaterial som substrat. Därvid användes kiseloxid som di-
elektrikum mellan ett aluminiumbelägg och ett i halvledarma-
terialet genom diffusion anordnat ledande skikt. Se fig. 411 b.
Dessa integrerade tunnfilmkondensatorer benämnes MOS-kon-
densatorer (M för metall, O för oxid och S för halvledare —
”semiconductor” på engelska). Oxidskiktets tjocklek är av stor-
leksordningen ca 0,5 um, och med dielektricitetskonstanten ca
4 för kiseloxid erhålles enligt en av beräkningsformlerna i fig.
402
78
Spärrzkikt
Fig. 411
a) Principiella upp-
byggnaden av integ-
rerade tunnfilmkon-
densatorer, b) prin-
cipiella uppbyggna-
den av integrerade
tunnfilmkondensato-
rer av typen MOS-
kondensatorer,
c) principiella upp-
byggnaden av dif-
funderade halvledar-
kondensatorer.
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
