Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 9. Halvledardioder
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
|
—— —=-— —
Ja le (>
[>1->1-—+1|—>
Oo009
l->1->1-> I +
—-—
pA
-
Zz
[VIS SKOISKo)
[ONA
+
KT
[eH
d
2) EAKS
tält
I
oje
EAK
+
pr
PÅ
O0080
OoO0MO
rer
OoO00
Dr
—
=
[on
Ne
m
>
2
+ a!
AK] gor or FAK
ledarmaterialet (-området) och de positiva laddningsbärar-
na kommer att dras mot det område på halvledarmaterialet
där minuspolen på batteriet anslutits. Det betyder att ytter-
ligare laddningsbärare dras ifrån gränsområdet mellan de
två halvledarmaterialen, det medför att ytterligare fasta stör-
atomer berövas sina fria laddningar och det betyder att
spärrskiktets bredd ökas. Det betyder samtidigt att poten-
tialbarriären höjs ytterligare så att negativa laddningsbä-
rare från N-skiktet har ännu svårare att ta sig över till P-
skiktet. Positiva laddningsbärare i P-skiktet får likaledes svå-
rare att ta sig över till N-skiktet, dioden säges vara förspänd
1 backriktningen.
Nu uppträder det emellertid — som redan visats i kap.
8 — i det N-ledande materialet alltid vid rumstemperatur
ett mindre antal fria positiva laddningsbärare, minoritetsbärare,
som frigörs genom atomernas värmerörelse. Likaså förekom-
mer det vid normala temperaturer i det P-ledande materialet
negativa laddningsbärare, minoritetsbärare, som frigjorts genom
atomernas värmerörelser. Dessa positiva resp. negativa ladd-
80
Fig. 903
a) Om man ansluter
en yttre spännings-
källa med pluspo-
len till N-typ-ma-
terialet och mi-
nuspolen till P-
typmaterialet vid-
gas spärrskiktets
bredd.
b) Om man ansluter
den yttre spän-
ningskällans mi-
nuspol till N-typ-
materialet och
pluspolen till P-
typ-materialet
. minskas spärrskik-
tet eller elimineras
helt.
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
