Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 10. Transistorer
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 1002
NPN-transistorn be-
står av två N-ledan-
de <halvledarområ-
den åtskilda av ett
tunt P-ledande om-.
råde. - PNP-transis-
torn består av två
P-ledande halvledar-
områden åtskilda av
ett tunt N-ledande
område. Mellan de
tre områdena upp-
står PN-övergångar.
Fig. 1003
På en transistor an-
lägges två förspän-
ningar dels mellan
kollektor och emitter
Ecop och dels mellan
bas och emitter Epp.
Förspänningarna
skall ha sådan pola-
ritet att bas-emitter-
dioden blir förspänd
i framriktningen un-
der det att kollektor-
basdioden blir för-
spänd i backriktning-
en.
Kollektor Kollektor
- - - + + ER
P
SERA
TN SEE
Spärrskikty
KIETLTLILTLTETLETETDL
— Spärrskikt y
Bas 3 RAL E Bas N rel
SLTLETLTLPLTETETLET LIA SLET LTLITSSTLTLILIETLID
HSP arnskiktkd 3 Spamskikikd
- - + + +
Nea PER a
- — - + + +
STR Emitter
NPN- transistor PNP - transistor
benämner mittområdet ”bas”. De två ytterområdena benäm-
nes ”emitter” resp. ”kollektor”. Kollektorområdet är i allmän-
het större än emitterområdet. Karakteristiskt för transistorn är
att basområdet har betydligt mindre antal störatomer och där-
med ett mindre antal fria laddningsbärare än emitterområdet.
I gränsytan mellan de olika halvledarmaterialen uppträder
nu PN-övergångar — spärrskikt — av exakt samma slag
som i halvledardioden. Se fig. 1002. (Man kan mycket väl
använda en bas-emitter-sträcka i en transistor som diod.)
Man påför nu på transistorn förspänningar så som visas i
fig. 1003, dels en som ger kollektor-bas-dioden en spänning
i backriktningen, dels en som ger bas-emitter-dioden en för-
spänning i framriktningen. Därvid inträffar följande:
NPN-transistor PNP - transistor
89
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
