Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 12. Transistorns konstanter - Strömförstärkningsfaktorn
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
SEO gä
Fig. 1201
Grundkopplingarna
för transistorför-
stärkarsteg.
a) Gemensam emit-
terkoppling, GE-
koppling.
b) Gemensam Dbas-
koppling, GB-
koppling.
c) Gemensam kol-
lektorkoppling,
GC-koppling.
Liksom fallet är med elektronröret kan man ur transistorkur-
vorna ta fram vissa konstanter — man säger också para-
metervärden eller parametrar — som karakteriserar tran-
sistorn som småsignalförstärkare. Man kan då utgå från de
parametrar som transistorn uppvisar i den vanligaste kopp-
lingen, i gemensam emitterkoppling, GE-kopplingen, dvs. en
förstärkarkoppling där emittern utgör gemensam pol för in-
och utsignal. Se fig. 1201.
Strömförstärkningsfaktorn
Den viktigaste parametern är transistorns strömförstärk-
ningsfaktor. Denna parameter, som för gemensam-emitter-
koppling betecknas med hr, kan tas grafiskt ur Ic-UczE-
kurvorna på det sätt som visas i fig. 1202.
Därvid utgår man lämpligen från den valda arbetspunk-
a) Utsignal
Insignal
2
Insignal Utsignal
cg l
Insignal sUlsignel
I
LS
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
