Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 12. Transistorns konstanter - Ingångsimpedansen - Återverkningsförhållandet
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
HA Fig. 1203
Ig 1000 Transistorns in-
| gångsimpedans = hj,
200 kan grafiskt bestäm-
mas ur transistorns
800 Ig-Upp-diagram.
700
500
/
400 /
300 hå
200
| Alg=SOuA /
100
[ER | CORNER | Er RR | AZ A UB E.0:0 OM
äl ADA |
0 — 2
02 0,4 06 08 10 12 Vv
3 —UpBE
hje = AUBE / AlgB =0,06/ 0,05 1Ö? =1,2kohm
spänning Ucp = konstant (AUcp = 0). Se fig. 1203.
Man har följande samband:
H;e = A Uzpr / /A Iz (Ucor = konstant)
Ur fig. 1203 erhålles i arbetspunkten A: hi. = A Upr / AI;
=0,06/0,05 = 1,2 kohm.
hj är för småsignaltransistorer av storleksordningen 1—
10 kohm.
I många kopplingar är belastningsresistansen i kollektor-
kretsen så lågohmig att man kan utgå från att transistorns
ingångsresistans är = Ahje.
Återverkningsförhållandet
Eftersom transistorn mellan bas och kollektor har en i back-
riktningen förspänd diod får man mellan bas och kollektor
en icke försumbar impedans som åstadkommer att spän-
116
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
