Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 14. Fälteffekttransistorn
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fälteffekttransistorn
Fälteffekttransistorn är i princip uppbyggd av en ”kanal” av
N-ledande eller P-ledande halvledarmaterial, vanligen N-le-
dande kisel. Till kanalens ändpunkter är anbringade metalliska
kontakter till vilka är anslutna tilledningstrådar, den ena elek-
troden benämnes ”Drain” eller D-elektrod, den andra ”Source” Es ÖL
eller S-elektrod. Se fig. 1401.
Source-elektroden är den ”källa” som emitterar laddnings-
bärare och drain-elektroden är ”dräneringselektrod” som sam-
lar upp laddningsbärarna.
Det finns ytterligare en elektrod på <fälteffekttran-
sistorn, denna är ansluten till ett område av ett halvledar-
material av motsatt typ mot det som ingår i den nyss om-
nämnda kanalen. Denna elektrod kallas ”Gate”. Det lig-
ger nära till hands att kalla den för ”grindelektrod” eller
”grind”, eftersom det är denna elektrod som mer eller mindre
stänger av den ström som flyter mellan S- och D-elektroderna.
Om kanalen utgöres av halvledarmaterial av N-typ utgöres
grindområdet av P-typ och vice versa.
Fälteffekttransistorer utformas ofta i planarteknik, varvid
ofta halvledarmaterial av P-typ används som underlag. I detta
diffunderas in ett N-område som bildar en kanal i P-mate-
rialet, se fig. 1402. Ändpunkterna på N-kanalen ansluts till
kontakter som utgör S- resp. D-elektrod, grindelektroden ut-
gör ”basplatta” till P-halvledarmaterialet.
Fig. 1403 visar hur man genom lämplig utformning av elek-
troderna kan öka den effektiva kanalarean och därmed bl. a.
tillgänglig ström genom transistorn mellan S- och D-elektrod.
Fälteffekttransistorn kan uppfattas såsom uppbyggd av en enda
1 backriktningen förspänd PN-övergång, det är den man ser
från transistorns ingångsklämmor. Se fig. 1401.
134
KAPITEL 14
Fig. 1401
Fälteffekttransis-
torns uppbyggnad.
Fälteffekttransistorn
kan uppfattas som
en enda i backrikt-
ningen förspänd
diod. Fälteffekttran-
sistorns schemasym-
bol visas nederst i
fig. (Basområde av
N-typ.)
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
