Note: This work was first published in 1966, less than 70 years ago. John Schröder died in 1998, less than 70 years ago. Therefore, this work is protected by copyright, restricting your legal rights to reproduce it. However, you are welcome to view it on screen, as you do now. Read more about copyright.
Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 16. Om kylning av halvledarkomponenter
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
KAPITEL 16
Om kylning av
halvledarkomponenter
Den i en halvledarkomponent förbrukade effekten (förlustef-
fekten) som yttrar sig som en uppvärmning av komponenten
måste på ett eller annat sätt ledas bort. Är det fråga om liten
effekt och därför obetydlig uppvärmning erfordras inga spe-
ciella åtgärder, värmen leds bort från transistorn via höljet.
Är det fråga om större effektbelopp måste oftast värmen le-
das bort via ett på lämpligt sätt anordnat kylsystem, exempel-
vis via ett till komponenten anknutet kylbleck, ett plåtchassi
eller liknande. Värmen avledes då lättare till den omgivande
luften, som oftast utgör kylmedium.
En betydelsefull omständighet i detta sammanhang är att
halvledarkomponenter är uppbyggda av halvledarmaterial som
har negativ temperaturkoefficient. Det betyder att halvledar-
komponentens elektriska ledningsförmåga tilltar med stigande
temperatur. Denna egenskap hos halvledarmaterialen gör att
man måste iaktta vissa försiktighetsmått när man arbetar med
transistorer för högre strömstyrkor. Orsaken härtill är följande:
Temperaturen i spärrskiktet i en halvledarkristall stiger när
ström passerar transistorn genom att den elektriska förlustef-
fekten omsättes i värme. Ökningen av spärrskiktstemperatu-
ren medför en ökad ledningsförmåga i transistorns halvledar-
material, detta leder till en ökning av strömmen genom tran-
sistorn, denna strömökning leder till ytterligare temperaturhöj-
ning osv. Denna termiska ”återkoppling” kan leda till
en termisk lavin (se kap. 10) som kan medföra att tran-
sistorn förstöres genom att transistorns spärrskikt antar otill-
låtet hög temperatur. Denna max. tillåtna spärrskiktstempera-
tur T; är för germaniumtransistorer 75—90” C och för kisel-
transistorer 150—200? C.
147
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
