Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1958, H. 9 - Grundläggande egenskaper hos effektoscillatorer och likspänningsomvandlare med transistorer, av Björn Krüger
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Grundläggande egenskaper hos effekt
-oscillatorer ocli likspänningsomvandlare
med transistorer
Civilingenjör Björn Krüger,
Institutionen för radioteknik, KTH, Stockholm
This article shows that the highest possible
oscillator output per transistor is obtained when the form
of the voltage curve is symmetrically rectangular
and the current curve is rectangular. This highest
oscillator output is of the d.c. power capacity
of the transistor acting as a switch. It is further
shown that this oscillator output is independent of
the transistor connection and this fact can be utilised
in designing circuits, where the power of any
number of transistors is added, as well as in the design of
highvoltage transistor switches. A systematic
classification of power oscillators and d.c. converters is
also made, based on the method of limiting the
collector voltage of the transistor in the off-condition,
feedback and detection.
Det kan visas att den största oseillatoreffekt, som
kan uppnås per transistor, erhålles vid symmetriskt
rektangulär spänningskurvform och rektangulär
strömkurvform. Denna maximala oscillatoreffekt är
Vi av den likströmseffekt, som transistorn kan sluta
och bryta om den arbetar som relä. Vidare visas
att denna oscillatoreffekt är oberoende av
transistorns koppling och detta faktum kan utnyttjas för
konstruktion av kopplingar, där effekten av
godtyckligt många transistorer adderas och för
konstruktion av transistorreläer för höga spänningar.
Vidare göres en systematisk indelning av
kopplingarna för oscillatorer och likspänningsomvandlare.
Indelningen göres med hänsyn till sättet för
begränsningen av kollektorspänningen vid strypt transistor,
samt med hänsyn till återkopplingen och
likriktningen.
I en föregående uppsats1 har visats, att transistorn
kan sluta och bryta höga effekter med god
verkningsgrad. Denna egenskap hos transistorn kan man
utnyttja för att bygga oscillatorer ocli
likspänningsomvandlare för hög effekt och med god
verkningsgrad. Med dagens transistorer kan en oscillatoreffekt
av storleksordningen 250 W per transistor uppnås.
En likspänningsomvandlare består av en
effektoscillator, vars växelspänning transformeras till ett
lämpligt värde samt likriktas och glättas. Det gäller
således vid konstruktion av både
effektoscillatorer och likspänningsomvandlare att välja
kurvform, transistorkoppling, återkoppling eller styrning
av transistorn samt oscillatorfrekvens så, att hög ut-
* GE avser gemensam emitter, GK gemensam kollektor och Gli
gemensam bas.
621.373.52 + 621.314.12
effekt och hög transistorverkningsgrad uppnås. Hög
transistorverkningsgrad är en förutsättning för hög
uteffekt, ty den tillåtna förlusteffekten i transistorn
begränsas av omgivningstemperaturen, transistorns
termiska motstånd och den maximalt tillåtna
kollek-tortemperaturen.
Kurvform
Grundkopplingen för en oscillator är
GE-koppling-en* enligt fig. 1. (Se vidare under
"transistorkoppling".) Betecknas momentanvärdena av strömmar
och spänningar med små bokstäver, försedda med
stora bokstäver som index, blir förlusterna i
transistorn vid ett periodiskt förlopp under
periodtiden T
t
Pf = ^ Jfey/c + ißvB + iE"E) dt
o
Tages emitterspänningen vE som referensspänning
blir
t
Pf = Y ^favke + i b" be) dt (1)
0
där den första termen i integralen ger
kollektorför-lusten PK och den andra basförlusten PB. Som första
approximation försummas PB och vi söker då
kurv-formen för iK och vke så att PK blir minimum.
Under en oscillatorperiod kommer man att röra sig i
en sluten kurva i /^-V^e-diagrammet, som visas i fig.
2. Ett lågt värde på Pk förutsätter enligt ekv. (1) att
den slutna kurvan till största delen förlöper nära
axlarna och att de delar som avviker från axlarna
genomlöpes på mycket kort tid (< T). Transistorn
E
Fig. 1. Grundkoppling för en transistoroscillator.
Elementarg diagram of a transistor oscillator.
ELTEKN I K 1958 ] 47
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
