Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1959, H. 1 - Mätning av termiska egenskaper hos kiselkraftdioder, av Per Svedberg - Kongresser och utställningar - Den andra internationella komponentutställningen i Paris - International Convention on Transistors and Associated Semiconductor Devices - Compte Rendu från Cigrékongressen 1958
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
UR =
2kT,
(4)
där Tm är medeltemperaturen vid mätningen
AT = T - Tm
och ß0, ßx osv. tills vidare okända konstanter.
Insättes (4) i (3) och jämföres termerna framför
de olika potenserna av A T/Tm erhålles villkoren
>o= e
Ur»
där
2kTm
m ßo
TTTo
(m - 2 - ßi) ßi
2(1 +A-)
(m — 4 — ßn — 3 /3i) ß-2 — &
3(1 + /3„)
Eg — f/Dm
e’ 2 A" An
(5)
(6)
(7)
(8)
llRm. och Udhi är statiska värden vid temperaturen Tm.
Önskvärt är att termen ß1 är så stor som möjligt
medan ß2, ß3 osv. är små. I ett sådant fall blir
nämligen spänningen över i? linjärt beroende av
temperaturen. Bästa linearitet uppnås om ß2 = 0. Villkoret
härför är
eller
m — 2 — $i = 0
fc-f-i
Sambandet (9) kan också skrivas
zjrm =
En — Uün
2 kTn
(9)
(10)
Är villkoret (10) uppfyllt så blir
ßi = m — 2
Ä= 0
2
5m
Största känslighet uppnås när f/ßm är så litet som
möjligt. Gränsen sättes här av spärrventilens
läck-ström, som måste vara mindre än mätströmmen. Vid
3—10 mA/cm2 är Z7i>m^300 mV och således m av
storleksordningen 10. Man frågar sig då, hur stora
temperaturvariationer man kan mäta utan att
avvikelsen från lineariteten blir större än ca 1 %.
Villkoret härför blir
Fig. 6. Principschema.
Schematic drawing.
r)’
i m’
+
AT
AT
Här dominerar ß3 så snart — < 1
i m
< 0,01
(11)
Pi \lm> I om v
(AT\Z\ 2 (AT\2
om v 1 m’
varav
AT
— < 0,4
Tm
Med Tfn = 373°K (+ 100°C) kan således ett
tempe-ratursving på 150°C mätas med mindre än 1 % fel.
Vid kalibreringen av de fyra Si-10 och Si-75
dioderna var denna kalkyl ej klar. Kalibreringen
utfördes därför ej vid de optimerade villkoren enligt
ovan.
Tabell 1 visar en sammanställning av de
genomsnittligt använda spänningsvärdena.
Överensstämmelsen är som synes ganska god mellan beräknade
och observerade data på känsligheten dUR/dT.
Tabell 1. Beräknad och observerad känslighet
dUR/dT för 10 A och 75 A kiseldioder.
Si-10 Si-75
Tm °K 373 373
u dm mV 310 250
URm mV 165 210
dUR dT mV/°C 1,53 1,75 beräknade värden
dUR dT mV/°C 1,67 1,72 observerade värden
Kongresser och utställningar
Den andra internationella komponentutställningen i Paris
pågår mellan den 20 och 24 februari 1959 vid Pare des
Expositions, Pörte de Versailles. Upplysningar lämnas av
Fédération Nationale des Industries Électroniques, 23 Rue
de Lübeck, Paris 16:e, Tel. Pas. 01.16.
International Convention on Transistors and Associated
Semiconductor Devices, arrangerad av IEE, äger rum i
London den 25—29 maj 1959. Man förutser deltagande
av ca 2 000 tekniker och vetenskapsmän från hela
världen. Inledningsanföranden är utlovade av någon eller
några av nobelpristagarna Schockley, Brattain och
Bar-deen. Föredrag och diskussioner kommer att publiceras
i IEE Proceedings. Upplysningar lämnas av The
Secretary, The Institution of Electrical Engineers, Savoy
Place, London W. C. 2.
Conipte Rendu från Cigrékongressen 1958. De samlade
handlingarna från den sjuttonde kongressen med
Conference Internationale des Grands Réseaux Electriques är
under tryckning. De innefattar såväl de 138 rapporterna
som ett stenografiskt referat av samtliga diskussioner.
Arbetet omfattar tre band och utges i franska och
engelska upplagor. Priset utgör 250 kronor för medlemmar av
Cigré och 300 kronor för övriga. Beställning kan ske hos
Svenska Centralkommittén för Internationella
Ingenjörskongresser, Kungl. Vattenfallsstyrelsen, Postfack,
Stockholm 1, genom insättande av beloppet på postgirokonto
516 35. På talongen anges vilket språk som önskas.
14 ELTEKN I K 1959
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
