Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1959, H. 3 - Dimensionering och analys av effektoscillatorer och likspänningsomvandlare med transistorer, av Björn Krüger
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 17. Ekvivalent schema för en strömåterkopplad
oscillator med kapacitiv spänningsdelning.
Equivalent circuit for an oscillator with current
feed-back and capacitive voltage dividing.
(30a)
Primärvarvtalet erhålles direkt ur ekv. (30)
_ m — 1___E
m ~ J/m*-2m 2/ (1 + q) <Pmax
Sekundärvarvtalet kan beräknas ur den önskade
omsättningen. Hänsyn bör givetvis tagas till
spänningsfall i transformatorlindningarna, transistorn och
dioden. Styrlindningen n3 dimensioneras, så att
transistorn får några volts strypspänning under
återgången.
Vid svepets slut är
. _ rn . _ .
lL ~ lKmax lMo
Eftersom basströmmen är lika med z’l gäller
*Lß = *Kmax
vilket ger
• = •
’Mo \n2 BI lKmax
Insättes detta värde i ekv. (25) erhålles
Et*
2 (— — i| i
\n2 Bl Kmax
som kan skrivas om till
Lt__E>_
Svängningskondensatorn är given av
(34)
Ci =
til2
(35)
(O2 n22 Li
där w beräknas ur ekv. (26), som också kan skrivas
O) = 2/ (1 -f q) ]/m2 — 2m (26a)
Värdet hos C2 är ej kritiskt. Det skall vara av
storleksordningen 10—100 Ci både vid induktiv och
kapacitiv spänningsdelning under återgång.
Startegenskaper vid strömåterkoppling
Av de två kopplingsvarianterna i fig. 11 är den med
kapacitiv spänningsdelning lättast tillgänglig för ana-
lys av startegenskaperna. Denna variant väljes
därför för nedanstående analys.
Fig. 17 visar det ekvivalenta schemat för en
strömåterkopplad oscillator med kapacitiv
spänningsdelning. Ur det ekvivalenta schemat erhålles den
karakteristiska ekvationen för basströmmen iB
U Bin Cl Ci p3 + U (Rin Cl - bRL C,) p2 + (Rin Rl C2 +
+ Rin Rl Cl - bU) p + Rin + Rl = o
där Rin är transistorns ingångsresistans och b =
= — (ß — 1). ß är den differentiella
strömförstärk-n2
ningen i transistorns arbetspunkt. Ekvationen kan
skrivas under formen
er3 p3 + ag p2 + ax p + a„ = 0 (36)
Startvillkoret är, att någon av rötterna har positiv
realdel, vilket inträffar för
a2<0
a, <0
(37)
(38)
ty Os och a„ är alltid positiva. Ur Hurewicz’
stabilitetskriterium erhålles ett tredje villkor
a i a0
c/3 a2
<0
Ur villkoren (37) och (38) erhålles
Rin C2
Rl>
och
Rl<
b Ci
bU
Rin C2
(39)
(37a)
(38a)
I ekv. (38a) har en term försummats, ty C2y^>C1.
Start erhålles tydligen alltid, om dessa båda villkor
överensstämmer, vilket inträffar för Rin = i?jn’
Rin = b
Vu Ci
Överskådligare ekvationer erhålles, om Rin normeras
Rin = x |/"-
vilket ger
Li Ci
~cT
Det är tydligen lämpligt att även normera Rl
p u
«L = y TT
Ci
varefter de två startvillkoren kan skrivas
\ x
y>b
x
Hurewicz’ villkor erhåller nu formen
b2 + x2 b
(37b)
(38b)
y2~{b + lTxy +
Löses ekvationen erhålles
b + 1
>0
(37c)
(38c)
(39a)
48 ELTEKNIK 195?
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
