Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - Elektroluminiscenta ljusförstärkare och minnen, av Bertil Peterson
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
V 2 = V
za
Zi + z2
varför
= i- = 9-1 + j«Ci = /o + bi / + /©Ci (10)
Zi
Eftersom det är önskvärt att det infallande ljuset
åstadkommer största möjliga ändring av Yj,
framgår det av (10), att I0 och Ct bör vara så små som
möjligt i ett effektivt FL-skikt.
Om EL-skiktets konduktans och kapacitans per
ytenhet är g2 respektive C„ blir dess admittans
Yi = i- = 9* + (11)
i!
där q2 vanligen kan försummas.
En påtryckt spänning V = V0 eos co t fördelas över
de båda seriekopplade skikten i förhållande till
deras impedanser. Spänningen Vs, över EL-skiktet, blir
Fig. 3. Grafisk återgivning av ekv. (15).
Graphical representation of eq. (15).
Teori för den sammansatta ljusförstärkaren
För att få en mer detaljerad bild av olika
parametrars inverkan på den sammansatta
ljusförstärkarens funktion, skall här uttrycket för
förstärkningen härledas.
De i FL-skiktet genererade fria laddningarna antas
ha rörligheten [x och livslängden r, och kommer
sålunda att röra sig en sträcka A, i det elektriska
fältets is-riktning, definierad av
A = fi t E (5)
Om det infallande ljusets intensitet är I och
produktionen av fria elektroner sker med
verkningsgraden r], så att antalet frigjorda laddningar per
sekund och enhetsvolym är 1 rj, blir den i FL-skiktet
frigjorda effekten
där
W = ^ = 11] e E A = 1 r\ eE1 fiT
R
(6)
Eftersom i? är resistansen per ytenhet, kan skiktets
konduktans g1 skrivas
On , e fir I 1]
= ^ +
(7)
där g?! är FL-skiktets tjocklek. Den första termen
uttrycker skiktets mörkerkonduktans (c0 är
konduk-tiviteten utan belysning) och den andra
representerar tillskottet i konduktans vid belysning.
Man kan skriva
= bi (lo + /)
(8)
där
och
b, =
lo =
e fi t r]
di2
bi di
(9)
I0 är den ekvivalenta strålningsintensitet, som skulle
erfordras för att ge skiktet konduktiviteten o q, om
det vore helt isolerande i mörker. Kvantiteten är
ett slags godhetstal för FL-skiktet.
Om FL-skiktets kapacitans per ytenhet är Cx, kan
dess admittans per ytenhet Yx tecknas
ga = 1 +
\&>Ci I
_ Ca _ di £2
P ~ Ci ~~ d2 ci
sx ocli är effektiva dielektricitetskonstanten i
respektive FL- och EL-skikten.
Genom att kombinera ekv. (4), i vilken införes
och ekv. (13) erhålles nu ett uttryck, som
anger EL-skiktets ljusintensitet som funktion av
primärbildens ljusintensitet.
jL=-åb+
p(p + 2)-U
Oa
(O Ho
eller om
Io«I
ln
H
VTo
xoHol
r1+ P(P + 2)-u
L i + (/i i/o>y-1
(14)
(15)
där
t — —l — etLXrl
U ~ Ci ~ di £i
Ljusförstärkarens funktion bestäms alltså
huvudsakligen av storheterna p och /x. I fig. 3 visas ekv.
(15) i log-log-skala för tre värden på p. De streckade
linjerna är tangenter till respektive kurvors centrum
och deras lutning y anger den s.k.
kontrastförstärkningen. Med p = 100 erhålles t.ex. en mycket stor
ljusförstärkningsökning vid en liten ökning av
primärbildens ljusintensitet I. Vid t.ex. förstärkning av
röntgenbilder är detta faktum mycket
betydelsefullt.
Praktiska utföringsformer
Av en effektiv ljusförstärkarkonstruktion fordras
att FL-skiktets mörkerresistans är stor samtidigt som
dess fotokänslighet är hög. Vidare skall
kapacitan-sen per ytenhet vara så liten som möjligt. I enlighet
med föregående beteckningar skall alltså I0 (eller
o0) och Ci vara små samt bz stor (se ekv. 9 och 10),
varigenom även /x blir så stor som möjligt.
ELTEKNIK 1959 1 83
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
