Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - Häfte 8. Aug. 1935 - Om åskan och skyddsmedel däremot, av dr-ing. Müller-Hillebrand
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
118
TEKNISK TIDSKRI F T
5 jan. 1935
a i. Entladung
b n
Kristall e in sricKsrofY- p=eoar o =22°
Fig. 11. Strömspännings kurvor för kiselkarbid i kväve med
80 at tryck.
Extrema värden skola visas med ett exempel: En
katodfallavledare för 24.5 kV max. driftspänning
belastas med en exponentiellt avtagande
vandringsvåg-ström om 2 000 A och 30 fis halvvärdestid.
Värmeenergien utgör ca 4,9 kWs, inklusive den
efterföljande driftströmmen belastas i värsta fall avledaren
med ca 6,4 kWs.
För en avledare med spänningsberoende motstånd
och rotationsljusbågar för 24 kV max. driftspänning
och 100 Am,x efterföljande driftström utgör
värmeenergien genom vandringsvågströmmen 11 kWs och
totalbelastningen 63 kWs.
Spänningsberoende motstånd.
För att vid tilltagande ström den för skyddsverkan
på avledaren angivna spänningen vid
avledarelemen-ten ej skall stiga alltför högt, utarbetades avledarna
så, att deras motstånd vid tilltagande ström starkt
avtager. Som orsak tiil dessa motstånds
spänningsberoende antog man förr. att hos ämnen som bestå
av en blandning av bra och dåligt ledande partiklar,
de dåligt ledande delarna vid höga spänningar skulle
överbryggas genom små gnistor och att vid höga
spänningar på detta sätt flera strömbanor skulle
skulle kopplas parallellt än vid låga spänningar. Ett
sådant stötjoniseringsförlopp är emellertid ej den
egentliga orsaken till spänningsberoendet, utan ett
förlopp, vid vilket inuti halvledaren till följd av
dess egendomliga struktur mycket starka fält redan
vid låga spänningar uppträda, vilka vid
högfrekvens-påkänningar bliva märkbara som "fördelad
kapacitet". De spänningsberoende halvledarna innehålla
huvudsakligen kristaller av kiselkarbid. Vid några
volts spänning mellan två kristaller kan vid mycket
små avstånd av storleksordningen från 10—5 cm
fältstyrkan uppnå 10öV/cm, så att elektroner utdragas
ur kristallytan.
För att konstatera, huruvida stötjoniseringen
mellan de ledande delarna kan ha någon nämnvärd del
i strömledningen, ha mätningar företagits på rena
kiselkarbidkorn, mellan vilka bildandet av
stöt-joniseringsförloppet försvårats. Som isolerande stoff
mellan kristallerna hade valts kväve av 80 at tryck.
Fig. 11 visar mätresultaten.
Vi urskilja tydligt, att med tilltagande ström
spänningen endast oväsentligt stegras, att tydligen
allt flera strömbanor deltaga i strömningsförloppet.
Det är möjligt att vid dylika undersökningar kristal-
20 /US
Fig. 12. Strömningsbild av urladdningar mellan motståndsplattor lios
katodfallavledare.
Fig. 13. Strömtid- och spänningstidkurvor för 15
kV katodfallavledare, Un = högsta tillåtna
drifts-spänning.
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
