Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Halvledarkomponenter, av Per Olof Leine och Gunnar Markesjö - Linjära förstärkare med transistorer, av Ragnar Forshufvud och Per Olof Leine
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 24.
Potentialdiagram över
tunneldiod.
Fig. 25.
Ström-spänningskarak-teristik för
tunneldiod uppvisande negativ
impedans av
dynatrontyp.
Tunne/ström
— tågets tyngdpunkt passerar genom åsen.
Åsens bredd i förhållande till tåglängden och
tågets infallsvinkel är här avgörande storheter.
Om tunneldioden ej pålagts yttre spänning,
passerar elektroner genom barriären i båda
riktningarna, så att ingen yttre nettoström
existerar. Polariseras i dioden i
"backriktningen", dvs. n-materialet i fig. 24 göres positivt,
kommer en kraftig ström att flyta, fig. 25.
Antalet laddningsbärare som ges tillfälle att
passera ökar för ökande backpolarisering.
Polariseras dioden i framriktningen, flyter
ävenledes en ström, fig. 25, men antalet
laddningsbärare som har tillfälle att passera
avtager för ökande framspänning. Vid en viss
spänning, då ledningsbandets undre kant
sammanfaller med valensbandets övre, har inga
laddningsbärare tillfälle att passera.
Polariseras dioden ytterligare i framriktningen,
kommer den att leda ström enligt den normala
diodmekanismen, dvs. laddningsbärarna behåller
sitt band vid passerandet av potentialbarriären.
Tunneldioden har dynatronkaraktär, fig. 25,
och den kan mycket lätt användas för
generering av svängningar, både stationära
sinussvängningar och relaxationssvängningar.
Tunneldioden kan även användas för linjär
förstärkning, blandning och logiska funktioner,
ehuru kretsarna här blir mera komplicerade.
Tunneldioden kan arbeta upp till mycket höga
frekvenser, 10 000 MHz, den tål stora
temperaturvariationer, och kommer troligen att ha
livstider väl motsvarande den hos transistorer.
Linjära förstärkare
med transistorer
Civilingenjörerna Ragnar Forshufvud och Per Olof Leine, Stockholm
Ragnar Forshufvud
Per Olof Leine
Transistorns användning begränsas av flera
faktorer. Den minst tänjbara är den maximala
spänning som kollektorn tål. Denna spänning
är i viss mån beroende på hur elementet drivs.
Det existerar en naturlig övre gräns för
kol-lektorspänningen på grund av
genombrottsfenomen, som innebär att transistorn förlorar
sin förmåga att reglera ström och blir fullt
ledande. Man bör arbeta med en
säkerhetsfaktor på 1,5—2 i spänning med hänsyn till
åldring och okontrollerbara spänningspulser
i systemet.
Flera synpunkter kommer in vid
bestämmandet av högsta tillåtna kollektorspänning,
såsom krav på låg distorsion, risk för termisk
instabilitet och livslängdsfrågor. Man bör i
regel inte överskrida de värden, som
fabrikanten anger som maximala. Minskning av
621.375.4
transistorns liv med ökande kollektorspänning
har kunnat konstateras, men för närvarande
har man ej tillräckligt med mätresultat för
att säkert kunna bedöma detta. Gissningsvis
avtar livslängden med tredje till femte
potensen av kollektorspänningen.
Transistorn är i sig själv semistabil, emedan
den innehåller olika typer av halvledare
(p-typ och n-typ), som redan vid
rumstemperatur har en viss förmåga att diffundera.
Ein slutgiltig gräns för transistorns livslängd
är den tidpunkt, vid vilken emittern och
kol-lektorn diffunderat in i basen och där flyter
samman. I praktiken upphör transistorn att
vara användbar på ett långt tidigare stadium
beroende på kemiska processer på kristallytan
genom inverkan av syre, fukt m. m.
Hastigheten hos nedbrytningsprocessen blir beroen-
Potentia!
Laddningsstäthet
Låge i kristallen
Valensband
Elektroner
Ledningsband
93 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
