- Project Runeberg -  Teknisk Tidskrift / Årgång 90. 1960 /
98

(1871-1962)
Table of Contents / Innehåll | << Previous | Next >>
  Project Runeberg | Catalog | Recent Changes | Donate | Comments? |   

Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1960, H. 5 - Linjära förstärkare med transistorer, av Ragnar Forshufvud och Per Olof Leine

scanned image

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Below is the raw OCR text from the above scanned image. Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan. Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!

This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.

strömmen I/c blir alltså 39 fiA. För att
kunna beräkna stegets strömförstärkning måste
vi veta ingångsströmmen. Från generatorns
strömkälla flyter ström i fyra vägar till jord:
genom R„, Rlt H2 och genom transistorns bas.
Vi antar att rekombinationsfaktorn S är 0,01.
De fvra växelströmmarna blir (jfr fig. 7) :

HA

genom Rg ......................... 1/2,2 = 0,455

genom Rx .......................... 1/39 = 0,025

genom R2 ......................... 1/10 = 0,100

genom basen ............. <5lk = 0,01 • 39 = 0,390

Summa ingångsström ................ = 0,970

-6 V

Fig. 7.
Räkneexemplet
på klass
A-steg, J?j=
= 39kü,
K, = Rg =
= 2,2 kü,
Rt = 10 kü,
Rt = lkü,
8 = 0,01.
Ik = ImA.

Strömförstärkningen blir således:
lin 0,97

Om man är intresserad av
spänningsförstärkningen, kan den givetvis lätt beräknas ur
samma siffervärden.

Basströmmen är ej dominerande, varför
förstärkningen föga påverkas av transistortypbyte.

Steg med högre verkningsgrad

Förlustintegralen enligt ekv. (1) bör hållas så
låg som möjligt. Detta lönar sig vid
transistorer av flera orsaker. Man erhåller längre liv,
eftersom transistorerna vid låg förlusteffekt
kan arbeta vid låg kristalltemperatur.
Arbetstemperaturen hos ett vakuumrör bestäms ju
till stor del av glödeffekten. Vid rör har man
alltså inte samma möjligheter att fritt välja
arbetstemperaturen som vid transistorer.

Även med tanke på strömekonomin lönar det
sig att göra förlustintegralen så låg som
möjligt, emedan batterieffekten är summan av
den önskade uteffekten och de totala
förlusteffekterna. Eftersom glödström saknas, kan
man proportionellt sett göra stora besparingar
på detta sätt. Ett annat skäl är att transistorer,
särskilt germaniumtransistorer, kan arbeta
även vid mycket låga spänningar. En låg
förlusteffekt kan erhållas genom att ig respektive
uK alternativt väljes låg.

De konstlade medel som man använder för
att minska förlustintegralen medför
begränsningar i de typer av kurvformer och
belastningar, som steget kan klara. I många fall kan
det vara svårt att upptäcka, vari denna
begränsning ligger, men ett par typfall skall
utförligt refereras. Genom att ta en större
förlusteffekt vinner man större rörelsefrihet vid
dimensioneringen, tålighet för olika
belastningsfall.

Man brukar dela upp stegen i olika typer,
benämnda klass A, B, C och D. Beteckningen
klass D är ej helt vedertagen i
världslitteraturen, men förefaller logisk och torde bli
internationellt accepterad.

I klass A bär transistorn en förström, vilket
medför att förlusteffekt utvecklas i transistorn,
även när ingen signal påtrycks elementet.
Klass A är det triviala förstärkarfallet, där
transistorn normalt varken stryps eller bott-

nas. Detta fall kommer här inte att behandlas
särskilt utöver vad som redan gjorts i
exemplet på s. 97.

I klass B ordnas förstärkaren så, att en
transistor får ta de strömpulser, som går i ena
riktningen, medan en annan transistor får
klara av strömpulserna i motsatt riktning. Då
ingen signal påtryckes, går det nästan ingen
ström genom transistorerna, och förlusteffekt
utvecklas endast då steget påtryckes signal.
Under vissa betingelser kan den ena
transistorn slopas, såvida strömpulser i en riktning
ej bär någon ytterligare information. Detta
driftfall förekommer vid förstärkning av ren
sinussignal, varvid avstämda kretsar
upprätthåller kurvformen.

I klass C måste insignalen överstiga ett visst
tröskelvärde, innan kollektorström börjar
flyta. Oftast refererar denna klass till steg, som
arbetar med sinussignaler och har en
avstämd kollektorkrets.

Klass D refererar till det fall, då transistorn
alternativt arbetar i fullt ledande (bottning)
och icke ledande tillstånd.

Från klass A genom klass B och C till D
minskar förlustintegralen för samma givna aktiva
uteffekt. Klass D är här således gynnsammast,
vilket inses av att uK och ijc alternativt är
nära noll. Genom att styra tidsintervallen för
ledande resp. oledande tillstånd kan man
kontrollera uteffekten. Genom lämpligt arrangemang
av anslutna kretsar kan man erhålla en
kontinuerlig förstärkning, även i klass D.

Klass A kan bära en reaktiv effekt, som är
precis lika stor som den aktiva. För de
senare klasserna, B, C och D, tål steget betydligt
mindre reaktiv belastningseffekt än aktiv.
Klass D kan nästan inte klara någon reaktiv
effekt alls; dvs. vi kan erhålla vissa fördelar,

Fig. 8.
Mottakt-kopplat B-steg,
t. v.
grundschema, t. h.
belastningslinje.

98 TEKNISK TIDSKRIFT 1960 H. 5

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Project Runeberg, Tue Dec 12 02:44:47 2023 (aronsson) (download) << Previous Next >>
https://runeberg.org/tektid/1960/0124.html

Valid HTML 4.0! All our files are DRM-free