Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1958, H. 5 - Snabba transduktorer, av Gunnar Mellgren
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Den sparsjälvmagnetiserade transduktorn
De tre vanligaste
sparsjälvmagnetiseringskoppling-arna för enfas transduktor visas i fig. 1. Koppling a
kan ha växel- eller likströmslast medan b och c är
avsedda endast för likströmslast. Ett för en
spar-självmagnetiserad transduktor typiskt samband
mellan utspänning och styrmmk visas i fig. 2.
Den sparsjälvmagnetiserade transduktorn kan
karakteriseras med ett godhetstal
r f f Ht
r ’ a H
(1)
Härvid betecknar F effektförstärkning, T
tidkonstant, k en konstant (storlek 1—4 s), f frekvens, Ht
termiskt tillåten mmk i huvudlindning och AH för
styrning erforderlig mmk.
Godhetstalet är alltså direkt proportionellt mot
växelspänningens frekvens. För en viss förstärkning
erhåller man därmed en snabbare transduktor, ju
högre frekvensen väljes. Ekvation (1) visar dessutom
att godhetstalet ökar med sjunkande värde på
styrmmk. Låg styrmmk erhålles med bandringkärnor
eller med skiktade kärnor, vilka bladats på
speciellt sätt. Kärnmaterialet kan vara orienterad
kisel-eller nickellegerad transformatorplåt eller plåt av
^-metalltyp.
Styrande mmk är även beroende av
självmagnetise-ringsventilernas egenskaper, då låga läckströmmar
sänker behövlig styreffekt. Utvecklingen av de
moderna selenventilerna samt på senare tid
enkristall-ventilerna (kisel, germanium) har verksamt bidragit
till förbättring av den sparsjälvmagnetiserade
trans-duktorns förstärkaregenskaper.
Vid konstruktion av transduktorförstärkare med
goda dynamiska prestanda är det framförallt
kopplingarna enligt fig. 1 b och 1 c som kommer i fråga.
Alternativ a har mindre goda dynamiska egenskaper,
då den i sig innehåller en kortsluten krets,
växel-strömslindningarna i serie med
självmagnetiserings-ventilerna, vilken vid nedstyrningsförlopp ökar
tidkonstanten. Av flera skäl, bl.a. transduktorns
beteende vid olika belastningstyper har kopplingen enligt
fig. 2 b blivit mest använd vid konstruktion av
snabba transduktorförstärkare.
Fig. 3 a) Strömmotkopplad förstärkare.
Negative current-feedback amplifier.
b) Spänningsmotkopplad förstärkare.
Negative voltage-feedback amplifier.
Galvanisk motkoppling av transduktor
För en transduktor med ett givet godhetstal kan
man minska tidkonstanten på bekostnad av
effektförstärkningen i överensstämmelse med ekvation (1).
Det har visat sig fördelaktigt att åstadkomma detta
med hjälp av galvanisk motkoppling. Vid tillräckligt
stark motkoppling övergår transduktorns
stegfunk-tionssvar från en exponentialfunktion till
stegfunktion med dödtid eller ett trappstegsförlopp.
Galvanisk motkoppling medför även linearisering av
sambandet mellan in- och utstorheter. Fig. 3 a och b
visar principen för ström- och
spänningsmotkopp-lade förstärkare i allmänhet och fig. 4 visar
motsvarande motkopplingar tillämpade på transduktorer.
Motkopplingens inverkan på de statiska
egenskaperna kan beskrivas på nedanstående sätt, där
beteckningarna framgår av fig. 3 samt där i övrigt Ktdx
avser förhållandet mellan utgående ström och
styrström, Ktda förhållandet mellan utgående spänning
och styrström samt r\ inre stvrkretsresistansen.
Strömmotkoppling:
Ein = lin • ri + lut • Tm
lut — lin • Kt,li
Ein
lut =
Ti
Ktdl
+ r>n
Spänningsmotkoppling:
Ein = lin • ri + oc Eut
Eut = lin • K†(l2
Ein
Eut =
Ktdi
+ «
Fig. 2. Belastningsspänning som funktion av styrmmk.
Output voltage as a function of control mmf.
För -r^— «C r,n oeh
Ktd\ h tdi
1 72 ELTEKN I K 1958
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
