Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1958, H. 6 - Transistorns statiska egenskaper som relä, av Björn Krüger
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Transistorns statiska egenskaper som relä
Civilingenjör Björn Kriiger,
Institutionen för radioteknik, KTH, Stockholm
The properties of the transistor working as closed
and open switch are dealt with. Losses in the
transistor acting as closed switch and the input
characteristics at various kinds of load are discussed. The
leakage currents in the transistor working as open
switch are studied at several kinds of transistor
operation and the dependence on temperature of the
leakage currents is discussed. Diagrams for
calculating transistor switch circuits are given for three types
of transistors, a low power transistor OC 72, a medium
power transistor OD 604 and a high power
transistor 2N174. Leakage current diagrams at different
temperatures are also given for the three transistor
types mentioned. In order to show the spread, the
diagrams are taken from ten transistors of each type.
It is shown that the maximum ratings often will he
limited by the spread.
Avsikten med nedanstående framställning är att
behandla transistorns statiska egenskaper som relä, dvs.
som sluten och öppen kontakt. Förlusterna vid sluten
kontakt är därvid av intresse liksom
ingångskarak-teristikorna vid olika belastningsfall. En annan
viktig synpunkt är läckströmmarna i transistorn som
öppen kontakt vid olika driftsfall samt dessa
strömmars temperaturberoende. Ett antal kurvor, viktiga
för dimensionering av reläkretsar, har upptagits för
tre transistortyper, nämligen en lågeffekt-, en
medel-effekt- och en högeffekttyp. Vidare ges
läckströms-kurvor vid olika temperaturer för de tre
transistortyperna. För att få en viss uppfattning om
spridningen är kurvorna upptagna för tio transistorer av varje
typ. Det visar sig att det torde bli spridningen
som i många fall bestämmer användbara
maximaldata.
Definitioner av strömmar och spänningar framgår
C21.373.5
Fig. 1. Definitioner av ström- och spänningsriktningar i en
npn-transistor. Samma definitioner gäller för en
pnp-transistor.
Definitions of current and voltage directions in a
npn-transistor. The same definitions are used for
a pnp-transistor.
av fig. 1. Av de tre kopplingsfallen gemensam emitter,
gemensam kollektor och gemensam bas kommer
endast fallet med gemensam emitter att diskuteras. På
grund av den låga styreffekten är denna koppling
praktiskt taget den enda som kommit till
användning. Ur denna kan dessutom de andra
kopplingarnas egenskaper härledas.
Transistorn arbetande som sluten kontakt
Transistorns användning som sluten kontakt med
resistiv last framgår av fig. 2 och kan uppdelas i
följande områden:
a) Utstyrning till lägsta möjliga restspänning över
den slutna kontakten.
b) Utstyrning till maximal ström- och
effektförstärkning.
c) Utstyrning till minimiförluster i transistorn.
Fig. 2. Transistorkontakt
med resistiv last.
E är
batterispänningen.
Transistor switch
with resistive load.
E is the battery
voltage.
ELTEKNIK 1958 1 1 9
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
