Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1958, H. 6 - Transistorns statiska egenskaper som relä, av Björn Krüger
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Utstyrning till maximal ström- och effektförstärkning
Den maximala strömförstärkning, som kan utnyttjas
utgöres av kvoten mellan IK och IB när transistorn
bottnar. Med bottning menas det tillstånd, där
kollek-torspänningen har blivit så låg, att kollektordioden
börjar leda i framriktningen. Vid hårdare drivning
än till bottning avtager strömförstärkningen snabbt.
Även maximal effektförstärkning erhålles med god
approximation vid bottning, vilket kan visas på
följande sätt. Enligt fig. 2 blir uteffekten
P„t =
CE-VkeY
Pl
där E är batterispänningen. Styreffekten eller
basförlusterna blir
Pr ~ I b Vbe
ampere
Fig. 3. Heldragna linjer ger 1K—Vrø-diagram för en
effekt-transistor 2N174, dvs. kollektorströmmen /k som
funktion av kollektor-emitterspänningen Vke med
basströmmen Iß som parameter medan streckade
linjer avser bas-emitterspänningen Vbe som
funktion av kollektor-emitterspänningen Vjce med
isströmmen /b som parameter.
Continous lines give Ik—Vke diagram for a power
transistor 2N17A, i.e. the collector current Ik
function of the collector-emitter voltage Vke mith
the base current Iß as parameter and point lines
give base-emitter voltage Vbe as function of the
collector-emitter voltage Vke until the base current
Ib as parameter.
Utstyrning till lägsta möjliga restspänning
Av IK—Vjordiagrammet i fig. 3, där IK — f (VK:e)
med I b som parameter, framgår att kurvorna skär
varandra så att en envelopp bildas. Denna anger
den lägsta restspänning, som en transistor kan
utstyras till vid ett givet värde på IK- Den härtill
erforderliga höga basströmmen medför att den
nödvändiga driveffekten blir stor. Förlusterna i
transistorn blir då stora och ström- och
effektförstärkningen blir låg. Denna typ av utstyrning användes
framför allt för koppling av signalspänningar t.ex.
i hackare för likspänningsförstärkare, siffermaskiner
m.m. Den har bl.a. behandlats av G. Westerberg3 och
J. Sundström4.
100 200
Ig milliampére
Fig. 4. Förlusterna Pj? i en transistor OC 72 som funktion
av basströmmen Ib med kollektorströmmen Ik som
parameter. Transistorn arbetar som sluten kontakt.
The losses Pp in a transistor OC 72 as function of
the base current Ib with the collector current IK as
parameter. The transistor works as closed switch
1 78 ELTEKN I K 1958
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
