Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1958, H. 6 - Transistorns statiska egenskaper som relä, av Björn Krüger
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 14. Definition av kollektorläckströmmen Iko och
emil-terläckströmmen IEq.
Definition of collector leakage current Iko an(I
emitter leakage current IEq.
kollektorn. Med god approximation gäller därför
IKOld æ IK02d
I effekttransistorer är oftast
IKO" > I KO’1
och
W > IEod
Eftersom de resistiva strömmarna inte påverkar
varandra blir IEo ocli IK0 i det närmaste oberoende av
varandra. I synnerhet är IK0 oberoende av IE0. Är
både emitter- och kollektordioden polariserade i
backriktningen gäller således för basströmmen
I h I < I IKO + IEO I (5)
Fig. 16 visar 1K = f (VKE) för tre olika fall av
transistorn arbetande som öppet relä. De behandlas
nedan.
Fig. 15. Emitterdiodläckströmmen IEod vid två olika
belastningsfall.
Emitter diod leakage current IEod for two
transistor connections.
Fig. 16. Kollektorströnimen IK som funktion av
kollektor-emitterspänningen Vke för tre olika fall av
transistorn arbetande som öppen kontakt, a)
Stryp-spänning mellan basen och emittern, a’ gäller vid
högre temperatur än a. b) Basen öppen, c) Basen
och emittern kortslutna.
Collector current Ik°s function of collector-emitter
voltage Vke f°r three different connections of the
transistor acting as open switch, a) Cut-off voltage
between base and emitter, a’ is related to a higher
temperature than a. b) Open base, c) Base-emitter
short-circuited.
Styrspänning mellan bas och emitter
Enligt det föregående är i detta fall IK — IK0. För
den maximalt tillåtna kollektor-emitterspänningen
gäller
t KE max = V KB max + V BE
där VKBmax är den maximalt tillåtna backspänningen
över kollektordioden. Vid strypt transistor har VKb
ocli VBE olika tecken och därför är
Vi
< v kl
Kurvan IK = / (VKE) erhålles således genom
parallellförskjutning av kollektordiodens backkarakteristik
1ko= f (Vkb) me(l beloppet |VbeI* Mätningar på olika
transistortyper har visat att den erforderliga
stryp-spänningen är mindre än 0,2 till 0,4 V. För IB gäller
ekv. (5).
Öppen bas — emitterkrets
Den relativt höga läckströmmen l’Ko i detta
kopplingsfall kan beräknas ur definitionen för
strömförstärkningen B
I k — Iko
ß =
IB + h
Vid öppen bas — emitterkrets är
IB-Ur ekv. (6) erhålles
1’KO = (B + l) IKO
(6)
0 och IK= I’ko-
(7)
Av fig. 16 framgår att transistorn endast får belastas
med Vke^ 1/3 VKmax• Vid detta spänningsvärde ökar
B på grund av elektron-hål-multiplikationen i
kollektordioden och ger enligt ekv. (7) upphov till
den starka ökningen i I’Ko- Stor försiktighet måste
iakttagas med VKe vid öppen bas-emitterkrets.
Temperaturberoendet hos IKo och den därav orsakade
termisk-elektriska kopplingen medför nämligen risk
för transistorns förstöring.
Kortsluten bas — emitterkrets
Vid detta kopplingsfall blir lB negativ. En betydligt
gynnsammare läckströmskurva erhålles jämfört med
fallet öppen bas-emitterkrets. Läckströmmen blir
dock några gånger större än lKo-
Kurvorna b och c, fig. 16, utgör gränskurvor för
1 82 ELTEKN I K 1958
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
