Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - 1958, H. 6 - Transistorns statiska egenskaper som relä, av Björn Krüger
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
värdena oo respektive 0 på den yttre resistansen RB
mellan bas och emitter. För andra Z?£-värden erhålles
läckströmskurvor liggande mellan gränskurvorna
b och c.
Ett besvärligt problem är diodernas förmering, som
medför att ju längre en diod står under spänning
desto lägre blir läckströmmen. För vissa
transistorfabrikat kan VKB öka med 30 % vid ett visst givet
IK0-värde om transistorn står under spänning några
minuter. Andra transistorfabrikat kan vara helt fria
från förmering. Föreligger förmering måste
läck-strömskurvorna tas upp med snabba spänningssvep,
då annars två efter varandra upptagna
läckströmskurvor kan skilja sig avsevärt från varandra.
Kollektorläckströmmens temperaturberoende
Diodläckströmmen IKod ökar i det närmaste
expo-nentiellt med temperaturen. Den resistiva strömmen
I ko1 är däremot relativt oberoende av temperaturen.
Två vid olika temperaturer upptagna
läckströmskurvor blir därför i stort sett endast parallellförskjutna,
vilket visas i fig. 16. Att inte liela Iko ökar
exponen-tiellt med temperaturen synes tydligt, om log IK0
avsättes efter ordinatan. Fig. 17—19 visar
spridningen hos läckströmskurvorna för tio exemplar av var-
Fig. 17. Kollektorläckströmmen Iko som funktion av
kol-lektor-emitterspänningen \7ke bos OC 72 vid tre
olika temperaturer.
Collector leakage current Iko as function of the
collector-emitter voltage \7ke °f OC 72 at three
different temperatures.
derå OC 72, OD 604 och 2N174 vid tre olika
temperaturer, nämligen 20, 60 och 75° C. Av kurvorna
framgår, att den resistiva strömkomponenten IKor
dominerar vid låga temperaturer och att
läckströmskurvorna får stor lutning. Vid höga temperaturer
dominerar däremot diodläckströmmen IKod och eftersom
den är spänningsoberoende får läckströmskurvorna
liten lutning.
Transistorns begränsande data
Begränsande data hos transistorn är den maximalt
tillåtna kollektortemperaturen och de maximalt
till-låtna backspänningarna över transistorns dioder.
Den maximala kollektortemperaturen och
omgivningstemperaturen bestämmer de maximalt tillåtna
förlusterna i transistorn, och därmed den maximala
kollektorströmmen. Inga av dessa maximalvärden är
absoluta utan de måste vägas mot en viss uppoffring
av transistorns livslängd. Tyvärr har mycket få fakta
hitintills publicerats om livslängdens beroende av
ström, spänning och temperatur. Man kan emellertid
rekommendera följande:
Kollektortemperaturen bör hållas under 75°C.
Visserligen kan högre temperatur tillåtas, men priset
blir en avsevärd minskning av livslängden.
Fig. 18. Kollektorläckströmmen Iko som funktion av
kol-lektor-emitterspänningen \’ke h°s OD 604 vid tre
olika temperaturer.
Collector leakage current Iko as function of the
collector-emitter voltage Vke °f OD 60-t at three
different temperatures.
ELTEKNIK 1958 1 1 9
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
