- Project Runeberg -  Elteknik : Tidskrift för elektrisk kraftteknik, teleteknik och elektronik / Årgång 2. 1959 /
85

Table of Contents / Innehåll | << Previous | Next >>
  Project Runeberg | Catalog | Recent Changes | Donate | Comments? |   

Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - Elektroluminiscenta ljusförstärkare och minnen, av Bertil Peterson

scanned image

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Below is the raw OCR text from the above scanned image. Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan. Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!

This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.

Fig. 7. Ljusförstärkare med kombinerad likströms- och
växelströmsdrift, a strömdiffusionsskikt, b
röntgenstrålning, c FL-skikt med spår, d ogenomskinligt
skikt, e EL-skikt, f emitterat synligt ljus, g
transparent elektrod, h glasplatta.

Light amplifier with biased ac-operation.

ningen även på hur lång tid röntgenstrålningen
verkar på detta. Vid 10 s exponeringstid erhålles en
bild, som är 100 gånger ljusare än bilden på en
vanlig fluorescensskärm. Ljustätheten blir 10 apostilb.
Bilden kvarstår omkring 30 s efter det att
röntgenstrålningen upphört, men en anordning för
omedelbar utradering kan lätt åstadkommas.

För ljusförstärkare i allmänhet gäller att tiden för
uppbyggandet av en bild helt bestäms av FL-skiktet.
Vid mycket ljusstarka primärbilder är tidkonstanten
omkring 0,1 s och vid svagare upp mot flera
sekunder. EL-skiktet reagerar mycket snabbare för
förändringar och har tidkonstanter av
storleksordningen ms.

Vid en speciell ljusförstärkarkonstruktion, som
kommer att behandlas i slutet av denna artikel i
samband med minnespaneler, är det möjligt att
utnyttja fotoledare med tidkonstanter av samma
storleksordning som EL-skiktets. Sådana fotoledare
skulle ge alldeles för låg förstärkning i samband
med de hittills behandlade förstärkarna, men i det
speciella fallet är förstärkningen tvärtom 10 till 100
gånger förbättrad.

Minnespaneler med fotoledande styrskikt

Konstruktion

En optisk minnespanel erhålles, om det tunna
ogenomskinliga lagret mellan FL- och EL-skikten i en
ljusförstärkare uteslutes. Det i EL-skiktet
uppkommande ljuset kan då återverka på det fotoledande
materialet, och om denna positiva återkoppling är
tillräcklig, kommer en kort ljuspuls (triggpuls) mot
FL-skiktet att ge en bestående elektroluminescent
bild. I en vanlig sandwichkonstruktion kommer
emellertid en sådan bild att mycket snabbt
diffuseras. En liten ljusyta i EL-skiktet återverkar nämligen
på en något större yta i FL-skiktet, som i sin tur
förstorar EL-bilden osv., så att en snabb spridning
av alla ljusa ytor blir följden. Denna transversella
ljusspridning kan förhindras, om panelen uppbygges
av en mosaik av enhetsceller, som åtskiljes med
tunna ogenomskinliga väggar. Svårigheterna att tillverka
sådana mosaikpaneler är naturligtvis avsevärda,
särskilt om kravet på upplösningsförmåga är stort.
Enhetsceller med diametrar ner mot 0,6 mm har
emellertid framställts med en speciell fotoetsningsteknik,

som utnyttjar det vid Corning Glass Works
utvecklade "Fotoform"-glaset. Detta belyses med
UV-strål-ning genom en lämplig mosaikmask, framkallas
genom uppvärmning och etsas därefter i ett
fluor-vätesyrabad, varvid de exponerade delarna upplöses
20 gånger fortare än de obelysta. På så sätt kan t.ex.
ett mycket stort antal små cylindriska enhetsceller
etsas fram ur en glasskiva. Cylindrarnas plana ytor
överdras med genomskinliga elektroder och fästes på
ena sidan med ett glaslod vid ett EL-skikt, vilket
som vanligt är skiktat på en genomskinlig
skiv-elektrod och en glasplatta. Ett ljusdämpande lager
pålägges EL-skiktet mellan de cylindriska
glaspelarna, varefter dessa överdras med en fotoledare.
Glascylindrarnas fria elektroder sammankopplas
slutligen medelst ett finmaskigt metallnät, fig. 8.

Minnespaneler av denna typ med 900 celler på en
yta av 5 X 5 cm har tillverkats, men troligen kan
med samma teknik antalet celler på denna yta ökas
upp mot 9 000.

Kortfattad teori för minnescellens funktion

Om Vx är spänningen över FL-skiktet, blir
strömmen genom detsamma enligt ekv. (8)

ii = bi (/o + I) Vi (16)

Med analoga beteckningar fås enligt ekv. (11) ström-

Fig. 8. Snitt genom en optisk minnespanel, a EL-skikt,
b transparenta metallskikt, c inkommande
ljuspuls, d metalltrådsnät, e FL-skikt, f
ogenomskinligt och isolerande skikt, g glasplatta, h
återkopplat ljus (minnesfunktion), i utgående ljus.

Cross-section of an optical memory panel.

ELTEKNIK 1959 1 85

<< prev. page << föreg. sida <<     >> nästa sida >> next page >>


Project Runeberg, Fri Oct 18 23:40:44 2024 (aronsson) (download) << Previous Next >>
https://runeberg.org/elteknik/1959/0089.html

Valid HTML 4.0! All our files are DRM-free