Full resolution (JPEG) - On this page / på denna sida - Elektroluminiscenta ljusförstärkare och minnen, av Bertil Peterson
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
Below is the raw OCR text
from the above scanned image.
Do you see an error? Proofread the page now!
Här nedan syns maskintolkade texten från faksimilbilden ovan.
Ser du något fel? Korrekturläs sidan nu!
This page has never been proofread. / Denna sida har aldrig korrekturlästs.
Fig. 9. Spänningen över FL-skiktet som funktion av
spänningen över EL-skiktet enligt ekv. (21) och (22).
a högt (o och/eller lågt I0, b lägre co och/eller högre
I0, c kurvform vid startpuls, d kurvor enligt ekv.
(21), e kurva enligt ekv. (22).
Voltage across the photoconducting layer vs voltage
across the EL-layer according to eqs. (21) and (22).
men i EL-skiktet
i2 = joCi V2 (17)
Om man inför det exakta värdet för ljusstyrkans
beroende av frekvensen, H^co°-\ fås enligt ekv. (4)
H = Ho g>0’7 e~klVV* (18)
På grund av ljusåterkopplingen kan man skriva
I = k H (19)
Eftersom
/i = i> fås
bi Clo + I)Vi = 6>C2 V.t (20)
eller med ekv. (18) och (19)
br k Ho «0’7 e~klVVi + bi lo
Om den över en minnescell påtryckta
växelspän-ningsamplituden är V0 erhålles, eftersom och V2
är 90° fasförskjutna i förhållande till varandra
enligt ekv. (16), (17)
Vi* + y22 = Vo2 (22)
V1 som funktion av Va enligt ekv. (21) ocli (22)
visas i fig. 9. Utseendet av den kurva, som återger
ekv. (21) är beroende av FL-skiktets
mörkerkonduk-tans och sålunda av ljusintensiteten I0 i panelens
omgivning samt dessutom av drivspänningens
frekvens co. Kurvans maximivärde minskas med
minskande co och ökande /0. Skärningspunkterna mellan
(21) och (22) anger naturligtvis minnescellens
arbetspunkter, av vilka den med högsta VV-värdet över
EL-skiktet anger att cellen lyser, och den med lägsta
Va-värdet att cellen är mörk. Den tredje
skärningspunkten är, i motsats till de båda andra, instabil, ty
en tillfällig ökning, störning, av z2 och därmed V2
förskjuter arbetspunkten nedåt till höger i
diagrammet, varvid den tillgängliga spänningen Vo blir
större än erforderligt, och strömmen ökar ytterligare
tills den högra arbetspunkten nåtts. Om en
minnescell skall exciteras med en ljuspuls, triggpuls, dvs.
övergå från det ena stabila tillståndet till det andra,
är det sålunda tydligt att kurvan enligt (21)
tillfälligt måste tangera eller sänkas under kurvan
enligt (22). Detta sker också, om intensiteten I på det
infallande ljuset blir tillräcklig, eftersom då första
termen i nämnaren i ekv. (21) ökar. Av det ovan
sagda framgår också tydligt, att triggpulsens
amplitud kan minskas, om I0 ökas ocli co minskas, dvs.
maximum på kurvan enligt ekv. (21) minskar.
Radering eller utsläckning av upplagrad
information åstadkomnies naturligtvis genom att tillfälligt
sänka drivspänningen under ett visst tröskelvärde.
Den erforderliga tiden för såväl radering som
exci-tering av en minnescell är för närvarande ca 100
ms, men vissa försök med nya material i FL-skiktet,
t.ex. CdSe, inger förhoppningar om att komma ner
till 1 ms. En exciterad cells effektbehov är av
storleksordningen 0,5 iiW.
Triggmetoder
Det naturligaste sättet för initiering eller triggning
av en minnescell är, som redan berörts, att utsätta
den för en kortvarig belysning.
~En bild från ett katodstrålerör kan t.ex. projiceras
på FL-skiktet eller också utnyttjas ett TV-rör av
projektortyp. Styrbara fokuserade ljusstrålar är
naturligtvis också användbara i detta sammanhang.
Eftersom fotoledare är känsliga för
elektronbom-bardemang, är det även möjligt att ersätta ljusstrålen
med den mera lättstyrda elektronstrålen.
Minnespanelen får helt enkelt ersätta lysämnesskiktet i ett
vanligt katodstrålerör. Ett sådant minnesrör bör
kunna bli konkurrenskraftigt i jämförelse med t.ex.
iatronen, memotronen eller liknande rör.
Triggning medelst spänningspulser via en
matrix-panel placerad mot minnespanelens FL-skikt är
ytterligare en attraktiv metod. Matrixpanelen kan
utgöras av ett EL-skikt, som på båda sidor har ett
stort antal parallella ekvidistanta elektrodstrimlor.
Dessa är på den ena sidan orienterade vinkelrätt
mot strimlorna på den andra, varför en ljuspunkts
läge lielt bestämmes av skärningspunkten mellan de
strimlor över vilka spänningspulsen påtryckes.
Det bör påpekas att triggning även kan erhållas
enbart genom att höja spänningen över en viss cell
eller speciellt över dess EL-skikt, så att ljuset från
detta överstiger tröskelvärdet.
Oberoende av vilken metod som väljes, är det
möjligt att lia triggningstider, vilka är mycket korta i
jämförelse med fotoledarens tidkonstant. Den för
triggning nödvändiga energin kan mycket väl
tillföras på 25 [xs, medan som tidigare nämnts ca 100
ms åtgår innan cellen övergått till sitt ljusa
tillstånd.
Minnespaneler med halvtonspresentation
De ovan beskrivna minneselementen med
fotoledande styrskikt är av bistabil typ. Minnescellen var
.86 ELTEKNIK 1959
<< prev. page << föreg. sida << >> nästa sida >> next page >>
